[发明专利]一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法

权利要求书

1.一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤一、前清洗：将氢氧化钾溶液与双氧水混合，得到溶液A，将硅片置于所述溶液A中进行清洗，去除所述硅片表面脏污；

步骤二、碱制绒：将氢氧化钾溶液与制绒添加剂混合，得到溶液B，将经过前清洗工序的硅片置于所述溶液B中进行各向异性腐蚀，形成金字塔绒面；

步骤三、后清洗：将氢氧化钾溶液与双氧水混合，得到溶液C，将制绒后的硅片置于所述溶液C中进行清洗，去除硅片表面的残留物；

步骤四、酸洗：将氢氟酸与盐酸混合，得到溶液D，将经过后清洗工序的硅片置于所述溶液D中，继续去除硅片表面残留物；

步骤五、烘干；

步骤六、激光二次腐蚀：将硅片置于帝尔激光器，进行二次激光制绒，激光光斑扫描间距30-50μm,激光扫描速度350-700mm/s,频率50-185kHz，在所述金字塔的表面形成纳米级的坑洞；

步骤七、碱洗：将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液E，将硅片在溶液E中清洗去除表面残留物；

步骤八、酸洗：将氢氟酸与盐酸混合得到溶液F，将硅片在溶液F中继续去除表面残留物；

步骤九、烘干。

2.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤一中所用的氢氧化钾溶液的浓度为0.1-0.5wt%、氢氧化钾溶液与双氧水的体积比为1：10、清洗时间为150秒、清洗时的温度为65℃。

3.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤二中溶液B中氢氧化钾的浓度为2.0-3.0wt%，制绒添加剂的溶度为1.0-2.0wt%；所形成的金字塔的底座对角线长度为3-5μm。

4.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤二中的制绒添加剂为拓邦TB20-V45，其主要成分为表面活性剂、柠檬酸钠、苯甲酸钠等。

5.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤三中所用氢氧化钾溶液的浓度为0.1-0.5wt%、氢氧化钾溶液与双氧水的体积比为1:10、清洗时间为100秒、清洗时的温度为65℃。

6.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤四中溶液D中氢氟酸的浓度为2.95%，盐酸的浓度为1.82%。

7.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤六中金字塔表面形成的坑洞的直径为100-500nm。

8.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤七中所用氢氧化钾溶液的浓度为0.6-1.2wt%、氢氧化钾溶液与双氧水的体积比为1:6。

9.根据权利要求1所述的一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，其特征在于：所述步骤八中溶液F中氢氟酸的浓度为2%，盐酸的浓度为1.22%。