[发明专利]一种电子半导体清洗剂及制法和用法

权利要求书

1.一种电子半导体清洗剂，由如下重量百分比的原料组成：

碳氢溶剂40％-80％，氢氟醚溶剂20％-60％。

2.根据权利要求1所述的电子半导体清洗剂，其中，所述碳氢溶剂为C11-C12烷烃溶剂、丙二醇丁醚、乙二醇丁醚、二丙二醇二甲醚、3-甲氧基-3-甲基丁醇中的任意一种或任意多种，以及包括以下一种或两种：咪唑衍生物、烷基为C5-C14中的任意一种膦酸。

3.根据权利要求1所述的电子半导体清洗剂，其中，所述碳氢溶剂的组成及重量百分比为：

A组：丙二醇丁醚67％-94.9％、二丙二醇二甲醚5％-30％、十二烷基膦酸0.1％-3％；或

B组：C11-C12烷烃16％-89.9％、丙二醇丁醚5％-70％、二丙二醇二甲醚5％-10％、十二烷基膦酸0.1％-3％、AMINE O0.1-1％；或

C组：C11-C12烷烃20％-90％、乙二醇丁醚5％-67％、二丙二醇二甲醚5％-10％、十二烷基膦酸0.1％-3％；或

D组：C11-C12烷烃16％-89.8％、乙二醇丁醚5％-70％、3-甲氧基-3-甲基丁醇5％-10％、十二烷基膦酸0.1％-3％、AMINE O0.1-1％；或

E组：丙二醇丁醚46％-89.8％、乙二醇丁醚5％-40％、3-甲氧基-3-甲基丁醇5％-10％、AMINE O0.1-1％、十二烷基膦酸0.1％-3％。

4.根据权利要求1所述的电子半导体清洗剂，其中，所述氢氟醚溶剂为四氟乙基三氟乙基醚、甲基九氟丁醚、异丙醇、乙醇中的任意一种、任意两种或任意三种，且异丙醇和乙醇的总比例不超过30％。

5.根据权利要求4所述的电子半导体清洗剂，其中，所述氢氟醚溶剂的组成及重量百分比为：

A组：四氟乙基三氟乙基醚70％-97％、异丙醇5％-30％；或

B组：甲基九氟丁醚70％-99％、乙醇1％-30％；或

C组：甲基九氟丁醚70％-98％、异丙醇2％-30％；或

D组：四氟乙基三氟乙基醚70％-97％、乙醇3％-30％；或

E组：甲基九氟丁醚30％-60％、四氟乙基三氟乙基醚35％-60％、异丙醇5％-10％。

6.权利要求1所述电子半导体清洗剂的制备方法，包括以下步骤：

1)将反应釜洗净干燥，反应釜桶氮气保护；

2)在常温至45℃条件下，将碳氢溶剂所需原料中的碳氢和醇醚原料先加入到反应釜中，再加入所需的咪唑衍生物和烷基膦酸原料至反应釜中搅拌使其充分混合均匀，得到碳氢溶剂成品；

3)将另外一个反应釜洗净干燥，反应釜桶氮气保护；

4)在25℃以下的温度下，将氢氟醚溶剂所需原料中的醇类原料先加入反应釜并搅拌，再加入所需的氢氟醚原料至反应釜中，搅拌使其充分混合均匀，得到氢氟醚溶剂成品。

7.权利要求1所述电子半导体清洗剂的使用方法：

清洗电子助焊剂、焊锡膏时，第一槽清洗槽为碳氢溶剂浓度为40％-80％，再加入氢氟醚溶剂20％-60％。第二槽漂洗槽为氢氟醚溶剂100％。