[发明专利]半导体结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202310320519.7 申请日: 2023-03-29
公开(公告)号: CN116469888A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 赵豹;王世军;殷登平;姚飞 申请(专利权)人: 南京矽力微电子技术有限公司
主分类号: H01L27/07 分类号: H01L27/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210042 江苏省南京市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,其中,包括:

第一掺杂类型的基底;

位于所述基底中的至少两个相同的单元,每个所述单元中包括从所述基底的上表面延伸至其内部的第二掺杂类型的第一阱区,从所述第一阱区的上表面延伸至其内部的第二掺杂类型的第一掺杂区,以及至少部分位于所述第一掺杂区中的第一掺杂类型的第二掺杂区,

其中,相邻的两个单元形成串联连接的寄生晶闸管和二极管。

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,所述第一掺杂区的结深大于所述第二掺杂区的结深,所述第二掺杂区的两个侧边未被所述第一掺杂区包围。

3.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,相邻的两个单元之间包括第一掺杂类型的第一区域。

4.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,相邻的两个第一阱区之间的距离大于等于5um,小于等于6um。

5.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,所述第一区域与所述第一阱区之间的距离大于等于2um。

6.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,所述第一区域从所述基底的上表面至少延伸至所述第一阱区的下表面。

7.根据权利要求3所述的半导体结构,其中,还包括位于所述第一区域中,并从所述第一区域的上表面延伸至其内部的具有第一掺杂类型的第三掺杂区。

8.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,还包括位于所述基底中的第一掺杂类型的第三阱区,所述第三阱区位于所述第一阱区的下方。

9.根据权利要求1所述的半导体结构,其中,每相邻的两个单元中,第一个单元的第二掺杂区连接至第一输入输出端,第二个单元的第二掺杂区连接至第二输入输出端。

10.根据权利要求9所述的半导体结构,其中,当第一输入输出端的电压大于第二输入输出端的电压时,所述第一个单元中的第二掺杂区,第一阱区,基底,以及第二个单元中的第一阱区形成所述寄生晶闸管,所述第二个单元中的第一掺杂区和第二掺杂区形成所述二极管,从所述第一个单元流向所述第二个单元的电流依次流过所述寄生晶闸管和所述二极管。

11.根据权利要求9所述的半导体结构,其中,当第二输入输出端的电压大于第一输入输出端的电压时,所述第二个单元中的第二掺杂区,第一阱区,基底,以及第一个单元中的第一阱区形成所述寄生晶闸管,所述第一个单元中的第一掺杂区和第二掺杂区形成所述二极管,从所述第二个单元流向所述第一个单元的电流依次流过所述寄生晶闸管和所述二极管。

12.一种半导体结构的制造方法,其中,包括:

提供第一掺杂类型的基底;

在所述基底中形成至少两个相同的单元,

其中,形成至少两个相同的单元的方法包括:形成从所述基底的上表面延伸至其内部的第二掺杂类型的第一阱区,形成从所述第一阱区的上表面延伸至其内部的第二掺杂类型的第一掺杂区,以及形成至少部分位于所述第一掺杂区中的第一掺杂类型的第二掺杂区,

其中,相邻的两个单元形成串联连接的寄生晶闸管和二极管。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一掺杂区的结深大于所述第二掺杂区的结深,所述第二掺杂区的两个侧边未被所述第一掺杂区包围。

14.根据权利要求12所述的方法,其中,在相邻的两个单元之间形成第一掺杂类型的第一区域。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第一区域与所述第一阱区之间的距离大于等于2um。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第一区域从所述基底的上表面至少延伸至所述第一阱区的下表面。

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