[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底基板及位于其上的多个像素单元，每个像素单元包括驱动电路和发光器件，驱动电路包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管分两层设置，多个薄膜晶体管中包括目标薄膜晶体管，目标薄膜晶体管位于远离衬底基板的一层；发光器件包括：阳极、发光层和阴极；阵列基板还包括：沟道遮挡层，与阳极同层设置，目标薄膜晶体管的有源层在衬底基板上的正投影区域位于沟道遮挡层在衬底基板上的正投影区域内；沟道遮挡层背向目标薄膜晶体管的一侧表面的边缘区域朝向衬底基板的方向弯折，或，沟道遮挡层与目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离小于阳极与目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，消费者对更高画质及轻薄化显示装置的需求也日益增加，为了满足这些需求，各大厂商采用OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置。OLED显示装置相较LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)在对比度、色域、响应时间上有显著优势，但是受限于分辨率。目前有通过叠层TFT(薄膜晶体管)技术来缩小OLED显示装置中的像素单元面积，从而提高OLED显示装置的分辨率的方式。叠层薄膜晶体管是将OLED显示装置中的驱动电路中的薄膜晶体管放置在上下两层。而，位于上层的薄膜晶体管容易受到光照的影响，导致阈值电压飘移，从而导致显示不均匀。目前的叠层薄膜晶体管中，部分薄膜晶体管采用SD(源漏层金属)进行遮挡，而由于空间有限，部分薄膜晶体管需要采用与阳极同层的沟道遮挡层遮挡，但是沟道遮挡层距离薄膜晶体管沟道的距离比较远，遮挡空间有限，会有光从边缘进入，照射到薄膜晶体管沟道，导致显示不均匀。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用于解决现有的OLED显示装置由于薄膜晶体管与沟道遮挡层距离较远，薄膜晶体管沟道容易被光照射，导致显示不均匀的问题。

为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板以及设置于所述衬底基板上的多个像素单元，每个所述像素单元包括驱动电路以及与所述驱动电路连接且位于所述驱动电路远离所述衬底基板一侧的发光器件，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管分两层设置，所述多个薄膜晶体管中包括目标薄膜晶体管，所述目标薄膜晶体管位于远离所述衬底基板的一层；所述发光器件包括：叠层设置的阳极、发光层和阴极；

所述阵列基板还包括：沟道遮挡层，所述沟道遮挡层与所述阳极同层设置，所述目标薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影区域位于所述沟道遮挡层在所述衬底基板上的正投影区域内；

其中，所述沟道遮挡层背向所述目标薄膜晶体管的一侧表面的边缘区域朝向所述衬底基板的方向弯折，或者，所述沟道遮挡层与所述目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离，小于所述阳极与所述目标薄膜晶体管的有源层所在平面的垂直距离。

可选的，述多个薄膜晶体管中的远离所述衬底基板一层的薄膜晶体管的有源层采用氧化物制作。

可选的，所述多个薄膜晶体管中的靠近所述衬底基板一层的薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅LTPS制作。

可选的，所述沟道遮挡层背向所述目标薄膜晶体管的一侧表面的边缘区域为外凸弧面，或者，所述沟道遮挡层背向所述目标薄膜晶体管的一侧表面的全部区域为外凸弧面。

可选的，所述沟道遮挡层的朝向所述目标薄膜晶体管的一侧表面为平面。

可选的，所述沟道遮挡层的朝向所述目标薄膜晶体管的一侧表面为外凸弧面。