[发明专利]一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构在审
| 申请号： | 202310114853.7 | 申请日： | 2023-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN116013908A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 姚宗影;杨鹏毅;乔鹏飞;李韬;倪涛;芮金城;刘金鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L23/02;H01L25/16 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光电子 芯片 封装 带宽 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，包括射频连接器、管壳、宽带高频过渡转接板以及芯片电极焊盘，所述射频连接器固连在管壳上，射频连接器的射频引线通过焊接与宽带高频过渡转接板级联，所述宽带高频过渡转接板的射频输出端与芯片电极焊盘通过金丝键合互连。
2.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述管壳的侧壁上开设有空气腔。
3.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述宽带高频过渡转接板靠近射频连接器的端面与管壳之间的缝隙间距小于50um。
4.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述射频连接器底部与宽带高频过渡转接板的表面之间的缝隙间距小于0.1mm。
5.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述宽带高频过渡转接板采用共面波导的形式进行信号传输，且其表面微带线的两侧开设有若干伴地通孔。
6.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述过渡连接板与芯片电极焊盘之间连接的金丝拱高数值小于0.15mm，金丝键合点的间距小于0.2mm，键合金丝的长度小于0.3mm。
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