[发明专利]一种半导体材料产品的切割方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体材料产品的切割方法，包括：提供一半导体材料产品，半导体材料产品上具有切割道；在该半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；对半导体材料产品的切割道延伸方向的两端沿着切割道的方向切割，形成定位切口；在半导体材料产品正面沿着切割道切割，形成第一预设深度；对半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除背面的第一保护膜；基于两个定位切口，确定半导体材料产品背面的切割位置，并在半导体材料产品背面沿着切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将半导体材料产品切割分离，通过正反面切割的方式，并通过定位切口将正反面的切割位置对准，可实现对超厚产品的切割，且规避了背崩现象。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体材料产品的切割方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，对半导体材料进行切割时，很容易造成崩边问题，这种问题直接导致产品性能失效。

常用的划片机切割工艺是通过砂轮刀片高速旋转切割，切割过程中砂轮刀出刀位置会因应力无法有效控制，导致背崩问题严重，背崩成为切割工艺中产品失效的主要原因之一，对于超厚材料的，因为厚度很厚，切割应力急剧上升，背崩随厚度增加而更为严重，而且，对于硬脆材料，因材料特性，在切割过程中晶介受力后背崩也异常严重，以CZT为例，2mm厚度的CZT虽然采用国际领先的STEP CUT切割方式，但是平均背崩宽带依然大于150um左右。

因此，对于超硬、超脆、超厚材料的产品，如何降低背崩现象是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的半导体材料产品的切割方法。

本发明提供了一种半导体材料产品的切割方法，包括：

提供一半导体材料产品，所述半导体材料产品的厚度为8.37mm以下的任一厚度，所述半导体材料产品上具有切割道；

在所述半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；

对所述半导体材料产品的切割道延伸方向的两端切割，形成两个定位切口，所述定位切口贯穿所述半导体材料产品正面和背面；

在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度；

对所述半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除所述第一保护膜；

基于所述两个定位切口，确定所述半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将所述半导体材料产品切割分离。

优选地，所述第一保护膜和所述第二保护膜均为UV膜或者普通膜。

优选地，所述定位切口的长度为0.5~20mm。

优选地，所述在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度，包括：

在划片机的刀片切割时，控制所述刀片的高度达到的最低高度为第一预设高度，所述刀片的高度为所述刀片距离切割台面的高度；

基于所述第一预设高度，控制刀片在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度。

优选地，所述第一预设高度基于第一保护膜的厚度、所述半导体材料产品的厚度、刀片的第一磨损量以及第一切透量所确定，所述第一磨损量基于刀片的切割深度所确定，所述第一切透量基于经验确定；

具体按照如下公式确定

其中，为第一预设高度。

优选地，所述第一预设深度为：