[发明专利]一种半导体材料产品的切割方法

权利要求书

1.一种半导体材料产品的切割方法，其特征在于，包括：

提供一半导体材料产品，所述半导体材料产品的厚度为8.37mm以下的任一厚度，所述半导体材料产品上具有切割道；

在所述半导体材料产品背面粘贴第一保护膜；

将第一保护膜边缘粘贴在崩膜环上，使得所述崩膜环将所述第一保护膜绷紧，其中，所述第一保护膜的尺寸大于所述半导体材料产品的尺寸；

对所述半导体材料产品的切割道延伸方向的两端切割，形成两个定位切口，所述定位切口贯穿所述半导体材料产品正面和背面；

在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度，包括：

在划片机的刀片切割时，控制所述刀片的高度达到的最低高度为第一预设高度，所述刀片的高度为所述刀片距离切割台面的高度；

基于所述第一预设高度，控制刀片在所述半导体材料产品正面沿着所述切割道切割，形成第一预设深度；

所述第一预设高度基于第一保护膜的厚度、所述半导体材料产品的厚度、刀片的第一磨损量以及第一切透量所确定，所述第一磨损量基于刀片的切割深度所确定，所述第一切透量基于经验确定；

具体按照如下公式确定：

其中，为第一预设高度；

所述第一预设深度为：

其中，为第一预设深度；

对所述半导体材料产品正面粘贴第二保护膜，并去除所述第一保护膜；

将第二保护膜粘边缘粘贴在崩膜环上，使得所述崩膜环将所述第二保护膜绷紧，其中，所述第二保护膜的尺寸大于所述半导体材料产品的尺寸；

基于所述两个定位切口，确定所述半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将所述半导体材料产品切割分离。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一保护膜和所述第二保护膜均为UV膜或者普通膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位切口的长度为0.5~20mm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述定位切口，确定所述半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割，形成第二预设深度，以将所述半导体材料产品切割分离，包括：

基于所述定位切口，确定半导体材料产品背面的切割位置，并在所述半导体材料产品背面沿着所述切割位置进行切割时，控制所述刀片的高度达到的最低高度为第二预设高度；

基于所述第二预设高度，形成第二预设深度，以将半导体材料产品切割分离。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预设高度基于第二保护膜的厚度、所述半导体材料产品的厚度、刀片的第二磨损量以及第二切透量所确定，所述第二磨损量基于刀片的切割深度所确定，所述第二切透量基于经验确定；

具体按照如下公式确定：

其中，为第二预设高度。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预设深度为：

其中，为第二预设深度。