[发明专利]芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上制作形成位于标记区的镂空标记和位于电路区的芯片底层电路；

在所述镂空标记中制作形成实体标记，以形成套刻标记；

以所述套刻标记为对准标记在所述电路区中制作形成芯片上层电路；

以所述套刻标记为划片定位标记对所述衬底进行划片，以形成仅包括所述电路区的芯片。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底上制作形成具有位于标记区的镂空标记和位于电路区的芯片底层电路的底层金属膜的方法包括：

在衬底上制作形成底层金属膜；

在所述底层金属膜上形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行图案化处理，以在所述标记区中的与将形成的镂空标记对应的第一光刻胶层上形成镂空标记图案，同时在所述电路区中的第一光刻胶层上形成芯片底层电路图案；

以所述镂空标记图案和所述芯片底层电路图案为掩膜对所述底层金属膜进行刻蚀处理，以形成镂空标记和芯片底层电路；

将所述第一光刻胶层去除。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述镂空标记中制作形成实体标记的方法包括：

在所述底层金属膜上、所述镂空标记内和所述芯片底层电路上形成第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行图案化处理，以将与所述标记区中的实体标记区对应的第二光刻胶层去除；

在所述第二光刻胶层上和所述实体标记区内制作形成上层金属膜，其中，位于所述实体标记区内的上层金属膜形成所述实体标记。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度为所述上层金属膜的厚度的8倍至15倍。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述实体标记区与所述镂空标记至少部分重合。

6.根据权利要求3～5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述以所述套刻标记为对准标记在所述电路区中制作形成芯片上层电路的方法包括：

在所述上层金属膜上形成第三光刻胶层；

以所述套刻标记为对准标记，对所述第三光刻胶层进行图案化处理，以在所述电路区中的第三光刻胶层上形成芯片上层电路图案；

以所述芯片上层电路图案为掩膜对上层金属膜进行刻蚀处理，以在所述电路区中形成芯片上层电路。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：将仅包括所述电路区的芯片上剩余的第二光刻胶层和第三光刻胶去除。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述电路区和所述标记区彼此分离。

9.一种由权利要求1～8任一项所述的制作方法制作形成的芯片。

10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述芯片为超导量子芯片。