[发明专利]一种碳化硅外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310026807.1 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN115910755A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 孙国峰;浩瀚;赵新田;周勋;饶威;黄晓阳 | 申请（专利权）人： | 宁波合盛新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 宁波聚禾专利代理事务所(普通合伙) 33336 | 代理人： | 马芳兰 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100，在氢气环境下，对碳化硅衬底进行高温退火；
S200，对所述步骤S100得到的碳化硅衬底进行液相外延，得到具有第一外延层的碳化硅片；
S300，在所述碳化硅片的第一外延层上采用CVD法进行第二外延层的生长，获得碳化硅外延片。
2.如权利要求1所述的碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，步骤S200中，对碳化硅衬底进行液相外延生长后，先清洗碳化硅片，再进行步骤S300。
3.如权利要求1所述的碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，所述第一外延层的厚度为0.5～2μm。
4.如权利要求1所述的碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，步骤S200中，液相外延使用熔融状态下Si溶液进行，碳粉作为碳源，生长温度为2100℃～2300℃。
5.如权利要求1所述的碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，步骤S100具体为：将碳化硅衬底放入高温退火炉，通入氢气，氢气流量为50～100slm，温度保持1500～1600℃，退火时间5～30min。
6.如权利要求1-5任一所述的碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，步骤S300进一步包括：
S310，将所述碳化硅片置于CVD炉中进行外延生长，生长压力为50～200mbar，温度为1550～1680℃，氢气流量为50～200slm，碳、硅比为0.7～1.2，生长速率为20～30μm/h，生长得到所述第二外延层。
7.如权利要求6所述的碳化硅外延片的制备方法，其特征在于，所述步骤S310中，采用乙烯作为碳源，TCS作为硅源，N2作为掺杂剂。
8.一种碳化硅外延片，其特征在于，包括碳化硅衬底、位于所述碳化硅衬底上的第一外延层以及位于所述第一外延层上的第二外延层，所述第一外延层采用液相外延法生长得到，所述第二外延层采用CVD外延法生长得到。
9.如权利要求8所述的碳化硅外延片，其特征在于，所述第一外延层的厚度为0.5～2μm，所述第二外延层的厚度为5～20μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
