[实用新型]一种氮化镓单晶生长炉体的稳定装置

说明书

本实用公开了一种氮化镓单晶生长炉体的稳定装置，包括：固定单元以及设置在固定单元内部的调整单元和生长炉主体，所述固定单元，包括放置箱以及开设在放置箱内部的放置槽，所述放置箱表面通过轴承穿设有转动轴，所述转动轴表面设置有移动管，所述移动管一端固定有固定板。其有益效果是，该氮化镓单晶生长炉体的稳定装置，能够通过固定单元，对生长炉主体进行固定，防止生长炉主体在运行过程中出现晃动或偏移，导致氮化镓单晶的生长受到影响，同时配合调整单元，能够根据生长炉主体的大小进行调整，提高了装置的实用性。

技术领域

本实用新型属于稳定装置技术领域，具体涉及一种氮化镓单晶生长炉体的稳定装置。

背景技术

氮化镓(GaN)是研制微电子和光电子器件最重要的第三代半导体材料，具有直接带隙宽(3.4eV)、化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高(击穿电场≈5×106Vcm-1)、介电常数低(8.9)等特点，有巨大的应用潜力。

中国专利：一种氮化镓单晶生长装置(公开号：CN216192879U)，公开了一种氮化镓单晶生长装置，包括具有反应腔的反应炉体、温控系统和加压系统，其特征在于，所述反应腔内设有缓冲层，所述缓冲层将反应腔分割为第一反应空间和第二反应空间，并可通过缓冲层将反应物从第一反应空间转移至第二反应空间，所述温控系统包括设置在第一反应空间外侧的第一加热器、设置在第二反应空间外侧的第二加热器和设置在整个反应腔内的热电偶，所述两个反应空间的温度可单独调控，所述加压系统包括加压装置和设置在反应腔内的压力传感器。本实用新型提供的氮化镓单晶生长装置，通过单独调控两个反应空间的温度，及缓冲层控制传质流量和方向，实现氮化镓单晶的平衡型生长，有效降低位错密度，提高产率。该申请虽然能够实现氮化镓单晶的平衡型生长，有效降低位错密度，但是在氮化镓单晶生长过程中容易受到外力影响，导致生长炉出现晃动，从而影响氮化镓单晶的生长。

实用新型内容

为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种氮化镓单晶生长炉体的稳定装置。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种氮化镓单晶生长炉体的稳定装置，包括：固定单元以及设置在固定单元内部的调整单元和生长炉主体，

所述固定单元，包括放置箱以及开设在放置箱内部的放置槽，所述放置箱表面通过轴承穿设有转动轴，所述转动轴表面设置有移动管，所述移动管一端固定有固定板；

所述调整单元，包括设置在所述放置槽内部的放置板，所述生长炉主体搭接在所述调整单元表面。

本实用新型一个较佳实施例中，所述放置板下表面固定杆有滑块，所述放置箱表面开设有滑槽，所述放置板能够通过所述滑块和所述滑槽滑动连接在所述放置箱内部。

本实用新型一个较佳实施例中，所述滑块和所述滑槽均有若干个，且若干个所述滑块和所述滑槽均对称排布在所述放置板下表面。

本实用新型一个较佳实施例中，所述转动轴一端还固定有旋钮，所述转动轴表面开设有螺纹，所述转动轴与所述移动管通过螺纹活动连接。

本实用新型一个较佳实施例中，所述放置槽内壁固定有伸缩杆，所述伸缩杆另一端固定在所述固定板侧面，且所述伸缩杆有若干个，且若干个所述伸缩杆对称排布在所述放置槽内壁。

本实用新型一个较佳实施例中，所述生长炉主体表面还搭接有缓冲材料，所述缓冲材料能够设置在所述放置槽内部。

本实用新型一个较佳实施例中，所述放置箱下表面还固定有若干个支撑块，所述支撑块呈矩形均匀排布在所述放置箱下表面。

本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷，本实用新型具备以下有益效果：

1、该氮化镓单晶生长炉体的稳定装置，能够通过固定单元，对生长炉主体进行固定，防止生长炉主体在运行过程中出现晃动或偏移，导致氮化镓单晶的生长受到影响，同时配合调整单元，能够根据生长炉主体的大小进行调整，提高了装置的实用性。