[实用新型]一种直插桥封装结构

说明书

本实用新型公开了一种直插桥封装结构，包括塑封体，以及封装于塑封体内的框架本体，框架本体由下框架，中间框架和上框架从下至上依次层叠构成，相邻两个框架之间固定安置有芯片，从而形成内部双层芯片结构，其中每层芯片结构均设置有四颗芯片，中间框架由框架A和框架B组成，二者位于同一水平面且互不接触，框架A和框架B上分别对称安置有等量的芯片，下框架、上框架及框架A和框架B均同向水平延伸有伸出塑封体的引脚；在直插桥有限的尺寸内，内部结构设计为双层芯片结构，每层芯片均可设置四颗，因此能够大幅度提升直插桥的电流及功率，有较高的抗浪涌能力，抗大电容启动的电流冲击，满足了日常消费品更高的功率使用需求。

技术领域

本实用新型涉及直插桥封装领域，具体是涉及一种直插桥封装结构。

背景技术

整流桥由4只二极管组成，是由4只整流硅芯片作桥式连接按全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，有4个引出脚，外用绝缘环氧树脂封装而成。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，见图一。

目前，整流桥是用电器中将交流电变成直流电不可或缺的核心零部件，广泛应用于快充、直流电源、充电桩、家用电器等领域。整流桥从外形封装分为两大类直插桥和表面桥。常见的直插桥有两种为直插桥GBP和直插桥D3K。直插桥在使用方面牢固性好，抗震动能力强，散热性相比表面桥要好。

以上两种直插桥制造工艺方法都相同，在引线框架上点焊膏，装填芯片，芯片上点焊膏，装配连接片，整体一次烧结，其具有整体一次烧结，流程简单，成本低的优点。随着社会进程的不断发展，特别是在消费品功能越来越齐全，越来越强大的发展趋势下，对于功率的要求也逐渐提高，但是存在以下问题：目前的框架设计及内部结构设计，限于封装尺寸，芯片最多只能封四颗，整个直插桥的功率稍小，再增加电流及功率很有难度，无法大幅度提升电流及功率，满足日常消费品更高的功率使用需求。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种直插桥封装结构，以解决背景技术中限于封装尺寸最多只能封四颗芯片，导致整个直插桥的功率稍小，无法大幅度提升电流及功率的问题。

为实现上述目的，本实用新型的一种直插桥封装结构的具体技术方案如下：

一种直插桥封装结构，包括塑封体，以及封装于塑封体内的框架本体，所述框架本体由下框架，中间框架和上框架从下至上依次层叠构成，相邻两个框架之间固定安置有芯片，从而形成内部双层芯片结构，其中每层芯片结构均设置有四颗芯片，所述中间框架由框架A和框架B组成，二者位于同一水平面且互不接触，所述框架A和框架B上分别对称安置有等量的芯片，所述下框架、上框架及框架A和框架B均同向水平延伸有伸出塑封体的引脚。

进一步，每颗所述芯片均通过锡膏焊接固定于相邻两个框架之间。

进一步，所述引脚上均镀有雾锡。

进一步，所述引脚的端头做倒圆角处理。

进一步，所述塑封体上设置有倒角。

进一步，所述塑封体中间处贯穿开设有散热孔。

进一步，所述塑封体采用环氧树脂制成。

进一步，所述下框架、上框架及框架A和框架B均采用铜制成。

本实用新型的有益效果：

1.在直插桥有限的尺寸内，内部结构设计为双层芯片结构，每层芯片均可设置四颗，因此能够大幅度提升直插桥的电流及功率，有较高的抗浪涌能力，抗大电容启动的电流冲击，满足了日常消费品更高的功率使用需求。

2.塑封体上远离引脚的一端设置有倒角，可以明确直插桥的正负极，进行显著的防呆；塑封体中间处贯穿开设有散热孔，有利于直插桥的散热，提升直插桥的使用寿命；下框架、上框架及框架A和框架B均采用铜制成，代替跳线，提高直插桥的散热能力。