[实用新型]电池硅片薄膜沉积设备

说明书

本实用新型为电池硅片薄膜沉积设备，具有沉积箱、加热板、进气管和排气管，沉积箱上端设有便于电池硅片取放的箱口，箱口沿沉积箱长度方向的一侧铰接有用于箱口密封的密封盖板；加热板沿沉积箱长度方向分布竖直的固定于沉积箱内底部，沉积箱内底部位于加热板沿沉积箱宽度方向的两侧对称竖直的固定有两用于电池硅片限位放置的放置板；进气管固定于沉积箱沿其长度方向的一侧表面。对混合气体搅拌，提高混合均匀程度，最终气体由分流孔均流导入至沉积箱内部，结合加热板的加热效果，可对两侧的电池硅片同时实现覆膜效果，同时通过改变进气管和排气管的布置方式，使得进气管和排气管横向的分布在沉积箱的两侧，更有利于实现薄膜沉积的进行。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及电池硅片薄膜沉积设备。

背景技术

随着太阳能电池技术的发展，模化生产对工艺以及设备要求更高，特别是在电池沉积工艺中，传统的薄膜沉积设备对基底硅片的影响较大。其中，传统的PECVD沉积法，在应用过程中具有成膜质量好、基本温度低以及沉积速率快的优势，但借助微波或射频等含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体的过程中，等离子体会对基底硅片表面造成等离子体损伤，导致制成的太阳能电池在实际应用中出现光电转换异常。

而目前利用Cat-CVD沉积法制备电池硅片薄膜的沉积设备,在薄膜制备中具有较好的运用,不会出现等离子体对基底硅片造成损伤的情况,而薄膜沉积的反应气源通常为SiH和H两种气体。

公告号为CN211142166U的中国专利，公开了一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备，该装置具有结构简单、反应气体混合均匀.制得的硅片薄膜均匀性较高的优点，但在具体的使用过程中，工作人员发现，该装置中的进气口和排气口在竖直方向上布置，且未设置相应的气体搅拌装置，由于SiH和H两种气体的密度不相同，两气体在进入沉积仓后不能均匀的混合，从而会影响薄膜均匀性。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供SiH和H能够均匀混合的电池硅片薄膜沉积设备。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案。

电池硅片薄膜沉积设备，具有沉积箱、加热板、进气管和排气管，沉积箱上端设有便于电池硅片取放的箱口，箱口沿沉积箱长度方向的一侧铰接有用于箱口密封的密封盖板；加热板沿沉积箱长度方向分布竖直的固定于沉积箱内底部，沉积箱内底部位于加热板沿沉积箱宽度方向的两侧对称竖直的固定有两用于电池硅片限位放置的放置板；进气管固定于沉积箱沿其长度方向的一侧表面，进气管一端延伸至沉积箱内，进气管位于沉积箱内的端部固定有安装盘；进气管的外端口相通连接有导流管A，进气管上靠近导流管A处还安装有导流管B，导流管B另一端贯穿延伸至进气管内部，导流管B上位于进气管内的部分还均匀的设置有相通连接导流管B和进气管的通孔；安装盘内设有和进气管相通的混合腔，安装盘靠近加热板的表面还均匀设置有相通连接于混合腔的分流孔；混合腔内还设有用于搅拌气体的搅拌装置；排气管相通连接于沉积箱与进气管正对的一侧

由此可见，将SiH和H分别从导流管A和导流管B导入，H可由导流管B进入至进气管内，并从通孔导入至进气管内部和由导流管A进去进气管内的SiH混合，实现两气体的预混合效果，混合后的气体由进气管进入至混合腔内，通过搅拌装置对混合气体搅拌，提高混合均匀程度，最终气体由分流孔均流导入至沉积箱内部，结合加热板的加热效果，可对两侧的电池硅片同时实现覆膜效果，同时通过改变进气管和排气管的布置方式，使得进气管和排气管横向的分布在沉积箱的两侧，更有利于实现薄膜沉积的进行。

进一步的，搅拌装置包括转动安装于混合腔远离进气管一侧的内壁中心处的转动轴、固定在安装盘远离进气管一侧的表面的驱动马达、固定套接于转动轴上的安装套座以及等距安装在安装套座外沿表面的四搅拌叶；转动轴一侧端部贯穿至混合腔的外部并和驱动马达的输出端同轴固定连接。

通过驱动马达工作带动转动轴、安装套座和搅拌叶转动，转动的搅拌叶可将由进气管进入至混合腔内的缓和气体冲击打散再搅拌，提高气体混合的均匀性。