[实用新型]半导体封装结构

说明书

本实用新型公开了一种半导体封装结构，该封装结构包括PCB与塑封层。所述PCB包括本体、铜层、阻焊层以及金属层，所述本体的表面形成有所述铜层，所述铜层的表面形成有所述阻焊层以及所述金属层，所述阻焊层与所述金属层均与所述铜层相接触且所述阻焊层不覆盖所述金属层设置；所述塑封层形成于所述PCB一侧表面，且完全覆盖所述阻焊层和所述金属层。本实用新型的半导体封装结构，能够解決高温高湿条件下，塑封体与金属层分层以及阻焊层与金属层分层的问题。

技术领域

本实用新型是关于半导体封装技术领域，特别是关于一种半导体封装结构。

背景技术

现有技术中的封装PCB，如图1所示，该封装PCB的表面主要包含铜层1、阻焊层2以及镀金层3，且阻焊层2部分覆盖了镀金层3设置。但众所周知，阻焊层与镀金层之间的结合强度不大，因此此封装PCB，因其阻焊层2与镀金层3之间存在结合，在高温高湿条件下，会造成封装体出现阻焊层与镀金层的分层问题。其次，在对封装PCB进行塑封后，由于该结构中，镀金层3的面积相对较大，导致塑封层4与镀金层3之间的接触面积较大。然而，塑封体与镀金层之间的结合强度同样不大，因此此封装PCB的塑封，在高温高湿条件下，会造成封装体出现塑封层与镀金层的分层问题。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体封装结构，其能够解決高温高湿条件下，塑封体与金属层分层以及阻焊层与金属层分层的问题。

为实现上述目的，本实用新型的实施例提供了一种半导体封装结构，包括PCB与塑封层。所述PCB包括本体、铜层、阻焊层以及金属层，所述本体的表面形成有所述铜层，所述铜层的表面形成有所述阻焊层以及所述金属层，所述阻焊层与所述金属层均与所述铜层相接触且所述阻焊层不覆盖所述金属层设置；所述塑封层形成于所述PCB一侧表面，且完全覆盖所述阻焊层和所述金属层。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述塑封层与所述阻焊层的接触面积大于所述塑封层与所述金属层的接触面积。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述阻焊层与所述铜层的接触面积大于所述金属层与所述铜层的接触面积。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述铜层的表面形成有复数个阻焊区以及复数个镀金区，复数个所述阻焊区内形成有与所述铜层相接触的阻焊层，复数个所述镀金区内形成有与所述铜层相接触的金属层，且每个所述阻焊区内的阻焊层均不覆盖与其相邻的所述镀金区内的金属层。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，每个所述金属层的面积均小于或等于7500μm²。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，每个所述金属层均呈方体结构设置，每个所述金属层的长度均小于或等于50μm，且宽度均小于或等于150μm。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，复数个所述镀金区内的金属层包括具有面积大于第一面积的第一金属层，以及具有面积小于或等于第一面积的第二金属层，所述第一金属层包括复数个金属层单元，每个所述金属层单元的面积均小于或等于所述第一面积。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，相邻所述金属层单元之间间隔设置且暴露出所述铜层，相邻所述金属层单元之间填充有所述阻焊层。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述第一面积为7500μm²。

在本实用新型的一个或多个实施方式中，所述阻焊层的厚度大于所述金属层的厚度。