[实用新型]半导体封装结构有效
申请号: | 202222578800.4 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN218550270U | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 魏记明;汤霁嬨 | 申请(专利权)人: | 苏州震坤科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K3/28;H05K3/00 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 陆颖 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
PCB,所述PCB包括本体、铜层、阻焊层以及金属层,所述本体的表面形成有所述铜层,所述铜层的表面形成有所述阻焊层以及所述金属层,所述阻焊层与所述金属层均与所述铜层相接触且所述阻焊层不覆盖所述金属层设置;
塑封层,形成于所述PCB一侧表面,且完全覆盖所述阻焊层和所述金属层。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述塑封层与所述阻焊层的接触面积大于所述塑封层与所述金属层的接触面积。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述阻焊层与所述铜层的接触面积大于所述金属层与所述铜层的接触面积。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述铜层的表面形成有复数个阻焊区以及复数个镀金区,复数个所述阻焊区内形成有与所述铜层相接触的阻焊层,复数个所述镀金区内形成有与所述铜层相接触的金属层,且每个所述阻焊区内的阻焊层均不覆盖与其相邻的所述镀金区内的金属层。
5.如权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,每个所述金属层的面积均小于或等于7500μm2。
6.如权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,每个所述金属层均呈方体结构设置,每个所述金属层的长度均小于或等于50μm,且宽度均小于或等于150μm。
7.如权利要求4所述的半导体封装结构,其特征在于,复数个所述镀金区内的金属层包括具有面积大于第一面积的第一金属层,以及具有面积小于或等于第一面积的第二金属层,所述第一金属层包括复数个金属层单元,每个所述金属层单元的面积均小于或等于所述第一面积。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,相邻所述金属层单元之间间隔设置且暴露出所述铜层,相邻所述金属层单元之间填充有所述阻焊层。
9.如权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一面积为7500μm2。
10.如权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述阻焊层的厚度大于所述金属层的厚度。
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