[实用新型]功率MOS器件封装结构

说明书

本实用新型公开一种功率MOS器件封装结构，其一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，位于MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间，金属支撑片进一步包括支撑子片和外延伸子片，位于陶瓷片下表面的凸起块嵌入支撑子片的贯通区并从贯通区内延伸出，金属支撑片的外延伸子片位于环氧封装体外侧，陶瓷片的凸起块底面与环氧封装体底面齐平，金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点。本实用新型功率MOS器件封装结构提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种功率MOS器件封装结构。

背景技术

功率MOS场效应管的使用和发展已经有多年的历史，其设计和制造方法一直在不断地改进，从性能上，主要朝着高耐压、低导通电阻、高频率、高可靠性的方向发展。但随着市场竞争的日趋激烈，对于功率MOS场效应管的要求越来越高，传统的MOS器件封装结构支撑子片与环氧封装体容易出现分层，从而影响器件的结构稳定性。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种功率MOS器件封装结构，该功率MOS器件封装结构提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种功率MOS器件封装结构，包括：MOS芯片、金属支撑片、栅极引脚、漏极引脚和源极引脚，所述漏极引脚由首尾连接的焊接条区和引脚条区组成，位于所述MOS芯片上表面的栅极区和源极区分别通过第一金属线和第二金属线电连接到栅极引脚和源极引脚各自的焊接端，一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上；

位于所述MOS芯片下表面的漏极区通过导电焊膏层与一陶瓷片上表面连接，所述漏极引脚的焊接条区位于导电焊膏层内，漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间；

所述金属支撑片进一步包括支撑子片和外延伸子片，位于所述陶瓷片下表面的凸起块嵌入支撑子片的贯通区并从贯通区内延伸出，所述金属支撑片的外延伸子片位于环氧封装体外侧，所述陶瓷片的凸起块底面与环氧封装体底面齐平，所述金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述外延伸子片上开有一圆形通孔。

2. 上述方案中，所述支撑子片和外延伸子片的相邻区两侧均设置有一缺口槽。

3. 上述方案中，所述陶瓷片的凸起块形状为方形或者圆形。

4. 上述方案中，所述栅极引脚和源极引脚的宽度为1~2mm。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型功率MOS器件封装结构，其金属支撑片进一步包括支撑子片和外延伸子片，金属支撑片的外延伸子片位于环氧封装体外侧，金属支撑片的支撑子片上表面和下表面分别设置有上凸点和下凸点，提高了环氧封装体与环氧封装体的结合力，避免支撑子片与环氧封装体之间的分层，从而改善了器件的结构稳定性；还有，其进一步通过在陶瓷片下表面设置凸起块，此凸起块嵌入支撑子片的贯通区并从贯通区内延伸出，陶瓷片的凸起块底面与环氧封装体底面齐平改进，能快速将MOS芯片的热量传导到外界，从而延长了器件的使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型功率MOS器件封装结构的整体结构示意图；

附图2为本实用新型功率MOS器件封装结构的剖面正视图；