[实用新型]一种基于金属基底的高散热扇出封装结构有效
申请号: | 202222221432.8 | 申请日: | 2022-08-23 |
公开(公告)号: | CN218241815U | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 张鹏;耿雪琪;王成迁 | 申请(专利权)人: | 无锡中微高科电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/52;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/52 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 基底 散热 封装 结构 | ||
1.一种基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,包括第一散热基底(101),所述第一散热基底(101)上设置有至少一个贯穿的导电通孔(105)并且所述第一散热基底(101)下表面开设有至少一个芯片腔体(102),所述芯片腔体(102)中设置有芯片(107),所述第一散热基底(101)的下方设置有第二散热基底(108),所述第一散热基底(101)的上表面设置有第一布线层(111)并且下表面设置有第二布线层(106),第一布线层(111)与第二布线层(106)之间通过导电通孔(105)电连接,所述芯片(107)与第二布线层(106)连接,所述第一布线层(111)上设置有天线(112)。
2.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一散热基底(101)与第二散热基底(108)的材料均为导电金属。
3.如权利要求2所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一散热基底(101)的表面以及导电通孔(105)的内壁均覆盖有第一绝缘层(104),所述第二散热基底(108)的表面覆盖有第二绝缘层(109)。
4.如权利要求3所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,第一绝缘层(104)与第二绝缘层(109)的材料均为树脂或二氧化硅。
5.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,位于芯片腔体(102)的第二布线层(106)的表面设置有第一焊盘,所述第一焊盘上设置有第一焊球,所述第一焊球与芯片(107)连接。
6.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一布线层(111)上设置有第二焊盘,所述第二焊盘上设置有第二焊球,所述第二焊球与所述天线(112)连接。
7.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,还包括第一塑封层(113)和第二塑封层(114),所述第一塑封层(113)位于所述第一散热基底(101)的上表面并包覆所述天线(112)、第二焊盘和第二焊球,所述第二塑封层位于所述第一散热基底(101)的下表面并包覆所述第二散热基底(108)。
8.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述导电通孔(105)内填充有导电介质。
9.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述芯片的背面与所述第一散热基底(101)的下表面齐平。
10.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一散热基底(101)与第二散热基底(108)通过键合工艺连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微高科电子有限公司,未经无锡中微高科电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222221432.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能隐藏式移动木门
- 下一篇:一种翻杯机