[实用新型]一种基于金属基底的高散热扇出封装结构有效

专利信息
申请号: 202222221432.8 申请日: 2022-08-23
公开(公告)号: CN218241815U 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 张鹏;耿雪琪;王成迁 申请(专利权)人: 无锡中微高科电子有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/52;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/52
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 金属 基底 散热 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,包括第一散热基底(101),所述第一散热基底(101)上设置有至少一个贯穿的导电通孔(105)并且所述第一散热基底(101)下表面开设有至少一个芯片腔体(102),所述芯片腔体(102)中设置有芯片(107),所述第一散热基底(101)的下方设置有第二散热基底(108),所述第一散热基底(101)的上表面设置有第一布线层(111)并且下表面设置有第二布线层(106),第一布线层(111)与第二布线层(106)之间通过导电通孔(105)电连接,所述芯片(107)与第二布线层(106)连接,所述第一布线层(111)上设置有天线(112)。

2.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一散热基底(101)与第二散热基底(108)的材料均为导电金属。

3.如权利要求2所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一散热基底(101)的表面以及导电通孔(105)的内壁均覆盖有第一绝缘层(104),所述第二散热基底(108)的表面覆盖有第二绝缘层(109)。

4.如权利要求3所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,第一绝缘层(104)与第二绝缘层(109)的材料均为树脂或二氧化硅。

5.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,位于芯片腔体(102)的第二布线层(106)的表面设置有第一焊盘,所述第一焊盘上设置有第一焊球,所述第一焊球与芯片(107)连接。

6.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一布线层(111)上设置有第二焊盘,所述第二焊盘上设置有第二焊球,所述第二焊球与所述天线(112)连接。

7.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,还包括第一塑封层(113)和第二塑封层(114),所述第一塑封层(113)位于所述第一散热基底(101)的上表面并包覆所述天线(112)、第二焊盘和第二焊球,所述第二塑封层位于所述第一散热基底(101)的下表面并包覆所述第二散热基底(108)。

8.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述导电通孔(105)内填充有导电介质。

9.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述芯片的背面与所述第一散热基底(101)的下表面齐平。

10.如权利要求1所述的基于金属基底的高散热扇出封装结构,其特征在于,所述第一散热基底(101)与第二散热基底(108)通过键合工艺连接。

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