[实用新型]大功率可控硅封装结构

说明书

本实用新型公开一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体、引脚，所述壳体顶部设置有一表面具有若干个凹槽的上壳盖，该凹槽可供一散热片嵌入安装，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端，在所述上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，该第一密封圈具有一密封凸环，所述散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，该第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽。本实用新型大功率可控硅封装结构提高了器件的密封性，减少了外界粉尘进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定。

技术领域

本实用新型涉及可控硅技术领域，尤其涉及一种大功率可控硅封装结构。

背景技术

电子设备已经成为人们生活中不可或缺的一部分，半导体是电子设备中的重要部分之一。可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管，在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现小功率控制大功率设备。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。

可控硅芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，但是现有技术中，芯片的密封性不足。为此，本实用新型提供一种大功率可控硅封装结构。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种大功率可控硅封装结构，该大功率可控硅封装结构提高了器件的密封性，减少了外界粉尘进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大功率可控硅封装结构，包括：壳体、引脚，所述壳体顶部设置有一表面具有若干个凹槽的上壳盖，该凹槽可供一散热片嵌入安装，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体与上壳盖形成的封装体一端；

在所述上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，该第一密封圈具有一密封凸环，所述散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，该第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述密封凸环的两侧安装有一定位软块。

2. 上述方案中，所述密封凸环的内径大于散热片的外径。

3. 上述方案中，所述第一密封圈、第二密封圈均为橡胶圈。

4. 上述方案中，所述引脚为三根，分别为栅极电极、阳极电极、阴极电极。

5. 上述方案中，在所述壳体相背于引脚的一侧延伸设置有一散热板。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型大功率可控硅封装结构，其在上壳盖的上表面且沿凹槽周向设置有一第一密封圈，散热片的底部外壁固定套装有一第二密封圈，通过第一密封圈、第二密封圈的配合，提高了散热片与上壳盖之间的密封性，减少外界粉尘由散热片与上壳盖之间间隙进入器件内部的情况，保证了器件工作的可靠、稳定；进一步的，其位于上壳盖的上表面的第一密封圈具有一密封凸环，套装在散热块外壁的第二密封圈相对于第一密封圈的一侧设置有一可供密封凸环嵌入的环形槽，通过密封凸环与环形槽的配合，进一步提高了第一密封圈与第二密封圈连接的紧密性，也提高了散热片固定安装的稳定性，从而提高整体的可靠性。

附图说明

附图1为本实用新型大功率可控硅封装结构的整体结构示意图；

附图2为本实用新型大功率可控硅封装结构的剖面正视图；

附图3为本实用新型大功率可控硅封装结构的局部结构示意图。

以上附图中：1、壳体；2、引脚；3、上壳盖；4、凹槽；5、散热片；6、第一密封圈；7、密封凸环；8、第二密封圈；9、环形槽；10、定位软块；11、栅极电极；12、阳极电极；13、阴极电极；14、散热板；15、限位孔。