[实用新型]CVD法生长多层异质结的制备装置

说明书

本实用新型属于纳米材料制备技术领域，尤其为CVD法生长多层异质结的制备装置，针对现有的CVD法生长多层异质结的制备装置不便于对加热装置的高度进行调节，使得难以对加热温度进行准确控制的问题，现提出如下方案，其包括底盘、加热板和传送环，底盘的顶部固定安装有立柱和电机，立柱的外侧转动套接有转筒，转筒的外侧固定连接有多个支撑杆，多个支撑杆的顶端均固定连接在传送环的底部，且立柱的顶端固定安装有固定板，固定板的顶部开设有安装孔，安装孔内转动安装有丝杆。本实用新型通过安装板、丝杆、旋钮、定位杆和横板之间的相互配合，可实现对CVD法生长多层异质结的制备装置加热装置的高度调节，以满足不同程度的加热工作。

技术领域

本实用新型涉及纳米材料制备技术领域，尤其涉及CVD法生长多层异质结的制备装置。

背景技术

石墨烯作为近年来最火的二维材料，对于它的研究从它被成功剥离出来已经持续了十余年。石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化方式形成的蜂窝状平面薄膜，它具有很多优良的特性，比如超高的电子迁移率，超高的抗拉强度和弹性模量，超高的电热性能，以及近似透明。六方氮化硼作为“白石墨烯”，近年来受到了很多研究小组的关注。它具有类似石墨烯的层状结构，但是是一种绝缘材料，其能带宽度达到5.9eV。将石墨烯与六方氮化硼生长在一起成为异质结的制备方法目前还是以CVD(化学气相沉积)为主。

针对上述问题公告号为CN206940981U的中国专利公告的一种CVD生长多层异质结的装置，其技术要点是：所述装置包括CVD生长腔室和传动装置，所述腔室底部载有基底铜箔，基底铜箔上方设有加热装置，从而在基底铜箔和加热装置之间形成高温生长区；所述传动装置设置在所述CVD生长腔室内，包括步进电机和传送带，所述传送带表面包裹有铜箔；其中，所述传送带与所述步进电机通过连接机构连接，从而所述传送带在步进电机的控制下旋转，包裹有铜箔的传送带穿过所述高温生长区。

上述方案不便于对加热装置的高度进行调节，使得难以对加热温度进行准确控制；因此我们提出CVD法生长多层异质结的制备装置来解决这个问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有的CVD法生长多层异质结的制备装置不便于对加热装置的高度进行调节，使得难以对加热温度进行准确控制的缺点，而提出的CVD法生长多层异质结的制备装置。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

CVD法生长多层异质结的制备装置，包括底盘、加热板和传送环，所述底盘的顶部固定安装有立柱和电机，立柱的外侧转动套接有转筒，转筒的外侧固定连接有多个支撑杆，多个支撑杆的顶端均固定连接在传送环的底部，且立柱的顶端固定安装有固定板，固定板的顶部开设有安装孔，安装孔内转动安装有丝杆，丝杆的底端固定安装有旋钮，所述加热板的顶部固定安装有安装板，安装板的顶部固定安装有横板，横板螺纹套接在丝杆的外侧，且固定板的底部固定连接有两个连接弹簧，两个连接弹簧的底端固定连接有同一个环形板，环形板的底部两侧均固定安装有定位杆，所述旋钮的顶部开设有多个定位槽，两个定位杆分别活动卡接在对应的定位槽内，且环形板的一侧固定安装有推杆。

优选的，所述固定板的底部固定安装有两个竖杆，所述环形板滑动套接在两个竖杆的外侧。

优选的，所述固定板的顶部固定安装有L板，所述横板滑动套接在L板的外侧。

优选的，所述转筒的外侧固定套接有从动齿轮，所述电机的输出轴上固定连接有主动齿轮，主动齿轮与从动齿轮相啮合。

优选的，所述固定板的顶部开设有滑孔，安装板滑动连接在滑孔内。

优选的，所述转筒的外侧转动连接有多个支撑轮，支撑轮与底盘的顶部滚动连接。