[实用新型]蒸馏装置及半导体清洗设备有效
| 申请号: | 202222043992.9 | 申请日: | 2022-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN217847893U | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
| 发明(设计)人: | 杨卓 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创集成电路装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D3/00 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 101312 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蒸馏 装置 半导体 清洗 设备 | ||
本实用新型提供一种蒸馏装置及半导体清洗设备,用于蒸馏半导体清洗设备排出的液体。其中,蒸馏装置包括蒸馏腔室、加热组件和冷凝组件;蒸馏腔室划分为第一子腔、第二子腔和第三子腔;第一子腔用于盛装液体;加热组件用于加热第一子腔内部的液体,以使之气化为气体;第二子腔位于第一子腔上方,且与第一子腔连通;冷凝组件用于将第二子腔内部的气体冷凝成液体;第三子腔位于第二子腔的一侧,且与第二子腔连通;第三子腔用于收集第二子腔内冷凝产生的液体。本实施例提供的蒸馏装置及半导体清洗设备,结构紧凑,占地面积较小,并且能够提高蒸馏工艺的效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种蒸馏装置及一种半导体清洗设备。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置的制程中,通常存在多道清洗工艺。以蒸镀制程为例,工艺中采用的金属掩模板在反复使用一段时间后,需要采用清洗剂对其进行清洗才能再次投入使用。具体的,清洗过程中使用的清洗剂,多为有机溶剂;而有机溶剂经多次使用后,会变得浑浊,导致颗粒物超标,影响清洗效果,因此需要定期对有机溶剂进行蒸馏提纯处理。具体的,蒸馏工艺是利用混合液体或液-固体系中各组分沸点不同,使低沸点组分蒸发再冷凝,以分离整个组分的分离工艺。
如图1所示,现有的蒸馏装置通常包括独立设置的蒸馏箱01和冷却箱02,两者通过U型连接管03连接;其中,蒸馏箱01用于将回收的有机溶剂进行蒸馏,蒸馏过程具体为将有机溶剂加热气化,而无法气化的固态杂质则可以在这一过程中被分离出来;冷却箱02则用于将通过连接管03输入的有机气体冷凝,使之再变化为有机液体。但是,现有的蒸馏装置往往占地面积过大、结构过于复杂,这会导致生产车间的空间浪费,而且容易发生故障。而且,由于蒸馏过程中产生的气体容易在U型连接管发生冷凝,并残留在其中,所以气体容易在传输过程中发生损耗,进而导致蒸馏工艺效率降低。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种蒸馏装置及半导体清洗设备,其能够解决现有技术中蒸馏装置占地面积过大的技术问题,并且能够提高蒸馏工艺的效率。
为实现本实用新型的目的而提供一种蒸馏装置,用于蒸馏半导体清洗设备排出的液体;其包括蒸馏腔室、加热组件和冷凝组件;其中,所述蒸馏腔室划分为第一子腔、第二子腔和第三子腔;所述第二子腔位于所述第一子腔的上方,且与所述第一子腔连通;所述第三子腔位于所述第二子腔的一侧,且与所述第二子腔连通;
所述第一子腔用于盛装所述液体;所述加热组件用于加热所述第一子腔盛装的所述液体,以使之气化为气体;
所述冷凝组件用于将上升至所述第二子腔内的所述气体进行冷凝;
所述第三子腔用于收集在所述第二子腔内冷凝产生的液体。
可选的,还包括分隔组件,所述分隔组件用于分隔所述第一子腔和所述第二子腔;
所述分隔组件包括第一分隔板和导气管;其中,
所述第一分隔板设置于所述第一子腔和所述第二子腔之间,且所述第一分隔板上开设有至少一个连接通孔,所述连接通孔的两端分别与所述第二子腔和所述第一子腔连通;
所述导气管位于所述第一分隔板上方且所述导气管的一端与所述第一分隔板密封连接,且一一对应地与所述连接通孔连通;所述导气管的另一端与所述第二子腔连通。
可选的,所述冷凝组件包括设置在所述第二子腔内部的至少一个冷凝盘管;
所述冷凝盘管一一对应地缠绕在所述导气管上,用于对所述导气管中的气体进行冷却。
可选的,所述第二子腔与所述第三子腔之间设置有用于将二者隔开的第二分隔板,所述第二分隔板上开设有出液通孔,所述出液通孔的两端分别与所述第二子腔和所述第三子腔连通;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





