[实用新型]温度补偿装置和半导体用基板加热辅助系统有效
申请号: | 202221649956.0 | 申请日: | 2022-06-29 |
公开(公告)号: | CN217641238U | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 孙元斌;陈兴隆;姜云鹤;韩禹 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F26B23/04 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度 补偿 装置 半导体 用基板 加热 辅助 系统 | ||
本申请提供了一种温度补偿装置,应用于半导体基板加热单元,所述温度补偿装置包括辅助调温件、弹性组件和固定件;所述辅助调温件包括导电部,所述导电部用于与电路板连接,所述辅助调温件设置于所述半导体基板加热单元的底部以对所述半导体基板加热单元进行温度补偿调节,所述弹性组件设置于所述固定件和所述辅助调温件之间,所述弹性组件用于调节所述辅助调温件与所述半导体基板加热单元之间的距离。使得有利于后续将温度补偿装置安装到半导体基板加热单元的底部,从而使得在不改变半导体基板加热单元原有结构的基础上,安装辅助调温件即可改善半导体基板加热单元的温度均匀性和温度控制的精度。本申请还提供了一种半导体用基板加热辅助系统。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种温度补偿装置和半导体用基板加热辅助系统。
背景技术
目前,在半导体基板加工过程中,需频繁使用基板烘烤单元,即晶圆加热器。而加热烘烤工艺制程中,基板的温度均匀性对晶圆能否达到其工艺指标至关重要。
目前业界常规方案是优化加热器的加热线路,并适当增加加热器的分区数量以提高热板的温度均匀性。但这种方案具有局限性,首先单纯优化加热器线路布局,优化加热器周边硬件结构,甚至进行一些必要的热场分析都可以小幅度的改善晶圆烘烤过程中的温度均匀性,但没办法大幅度改善。如果想大幅度提升晶圆烘烤过程中的温度均匀性,目前一般采用的方案是增加加热器的分区数量,以通过多分区温控系统分别控制不同加热器分区。但是,增加加热器分区数量会大幅度增大加热器的开发周期和研发成本支出,会大幅度增加温控部分的成本,同时占用更多安装硬件的空间,且对加热器制造过程中管控要求更为严格,容易造成加热器成品率下降,进而转嫁为加热器成本增加。
因此,有必要提供一种新型的温度补偿装置和半导体用基板加热辅助系统以解决现有技术中存在的上述问题。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种温度补偿装置和半导体用基板加热辅助系统,以灵活调整所述辅助调温件与所述半导体基板加热单元之间的距离,有利于后续将所述温度补偿装置安装到半导体基板加热单元的底部,从而使得在不改变半导体基板加热单元原有结构的基础上,安装所述辅助调温件即可极大改善半导体基板加热单元的温度均匀性和温度控制的精度。
为实现上述目的,本申请的所述温度补偿装置,应用于半导体基板加热单元,所述温度补偿装置包括辅助调温件、弹性组件和固定件;所述辅助调温件包括导电部,所述导电部用于与电路板连接,所述辅助调温件设置于所述半导体基板加热单元的底部以对所述半导体基板加热单元进行温度补偿调节,所述弹性组件设置于所述固定件和所述辅助调温件之间,所述弹性组件用于调节所述辅助调温件与所述半导体基板加热单元之间的距离。
本申请的所述温度补偿装置的有益效果在于:通过设置辅助调温件并设置于所述半导体基板加热单元的底部以对所述半导体基板加热单元进行温度补偿调节,通过所述弹性组件设置于所述固定件和所述辅助调温件之间,使得在所述弹性组件的弹性作用力下,能推动所述辅助调温件朝向或远离所述半导体基板加热单元运动,从而能灵活调整所述辅助调温件与所述半导体基板加热单元之间的距离,使得有利于后续将所述温度补偿装置安装到半导体基板加热单元的底部,从而使得在不改变半导体基板加热单元原有结构的基础上,安装所述辅助调温件即可极大改善半导体基板加热单元的温度均匀性和温度控制的精度。
可选的,所述弹性组件包括弹性件和支撑件,所述辅助调温件固定设置于所述支撑件的顶端部,所述弹性件设置于所述支撑件和所述固定件之间,且所述弹性件抵持于所述支撑件,以使所述支撑件带动所述辅助调温件相对所述固定件运动。其有益效果在于:所述弹性件通过所述支撑件带动所述辅助调温件运动,使得在所述弹性件的弹性作用力下,能使所述辅助调温件运动更稳定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造