[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202221561266.X | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN218482246U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 周鸿儒;林彦伯;郭俊铭;彭远清 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一基板；
一第一鳍状结构，位于该基板的一第一区上且包括一第一组的多个第一通道层，而多个所述第一通道层各自具有一第一厚度；
一第二鳍状结构，位于该基板的一第二区上且包括一第二组的多个第二通道层，多个所述第二通道层各自具有一第二厚度，且该第二厚度大于该第一厚度；以及
一栅极结构，位于该第一鳍状结构与该第二鳍状结构上，并包覆该第一组的多个所述第一通道层与该第二组的多个所述第二通道层。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一区还包括一p型井位于该基板之中与该第一鳍状结构之下。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二区还包括一n型井位于该基板之中与该第二鳍状结构之下。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
该第二鳍状结构的多个所述第二通道层之间的一距离，且该第二厚度比该距离大了1.4倍。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第一厚度比该距离大了不到1.4倍。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该第一鳍状结构与该第二鳍状结构等高。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一厚度为8nm至12nm。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二厚度为9nm至13nm。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括另一第一鳍状结构位于该基板的一第一区上，且所述另一第一鳍状结构与该第一鳍状结构隔有一介电鳍状物。
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括另一第二鳍状结构位于该基板的一第二区上，且所述另一第二鳍状结构与该第二鳍状结构隔有一介电鳍状物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221561266.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
