[实用新型]一种半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

衬底；

与所述衬底相对设置的盖板；

位于所述衬底靠近所述盖板的第一表面上的半导体器件；

位于所述半导体器件周围与所述半导体器件电连接的电连接结构；

连接所述衬底和所述盖板的键合部；

贯穿所述衬底的通孔；

位于所述通孔中与所述电连接结构连接的第一互连层；

位于所述衬底第一表面相对的第二表面上的与所述第一互连层连接的第二互连层；

覆盖所述衬底第二表面、通孔和部分第二互连层的钝化层，所述第二互连层未被覆盖的部分设置有凸出所述钝化层的凸出部。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述键合部覆盖所述电连接结构。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述键合部为环状绝缘材料层或环状导电材料，当键合部为导电材料时，键合部与电连接结构之间还设置有一层绝缘层。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述环状绝缘材料层为环氧树脂膜层。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的半导体封装结构，其特征在于，贯穿所述衬底的通孔中填充绝缘材料或者非绝缘材料。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电连接结构包括位于所述衬底第一表面的焊垫，所述焊垫覆盖所述通孔。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一互连层和所述第二互连层与所述衬底之间具有种子层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述钝化层为阻焊层，所述凸出部为焊球。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体器件为体声波谐振器；所述盖板为玻璃盖板、陶瓷盖板、氧化硅盖板、氮化硅盖板、氮化铝盖板、碳化硅盖板中的任一种。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖板还设置有容纳半导体器件的凹槽。