[实用新型]一种半导体封装结构

说明书

本实用新型公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：衬底，盖板，设置于衬底之上的半导体器件，位于所述半导体器件周围与所述半导体器件电连接的电连接结构；还设置有连接所述衬底和所述盖板的键合部；本实用新型将密封键合位置设置于信号键合位置处，并将信号通孔设置于器件衬底之上，从而使密封键合位置更加靠近半导体器件，能够有效降低封装的尺寸，满足在小型化设备中的使用需求。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，用波作为传播媒介(体声波、超声波等)的各种半导体器件层出不穷，如各种声波滤波器。且随着技术的不断发展，这种器件的运用将愈加广泛。用波作为传播媒介(体声波、超声波等)的器件封装的一个难点在于为防止波在传播过程中逃逸，在器件的功能区需要构造出空腔结构来对声波进行反射，从而可有效减少输入信号的损耗，提高器件的品质因数(Q值)。因此，带有空腔结构的封装工艺是半导体封装的一项重大需求。

随着封装工艺的不断发展，目前晶圆级封装(WLP，wafer level package)由于其良好的重复性，封装周期短、体积小等优点成为封装业内的主流趋势。晶圆级是在整片晶圆生产完成后，直接在晶圆上进行封装，封装完成之后才切割制成单颗芯片。

传统的声波器件如体声波滤波器的晶圆级封装如图1所示，包括衬底晶圆01，盖板(CAP)晶圆02，半导体器件03设置于衬底晶圆01上，半导体器件可以是体声波谐振器，多个体声波谐振器构成体声波滤波器。图1中示出了体声波滤波器的倒封装形式，此时衬底晶圆01在上方，盖板晶圆02在下方，衬底晶圆01的表面还设置有焊盘04，半导体器件03的电极连接衬底晶圆01表面的焊盘04，对应于衬底晶圆上的焊盘04处，盖板晶圆02上设置有焊盘05；焊盘05通过硅通孔(TSV)以及重布线层08将信号引出至盖板晶圆02的背面。焊盘04和焊盘05通常通过金金键合的方式实现信号连接。为了能够在半导体器件03的两侧形成声反射结构(空腔)，以及保护半导体器件03不被污染，还需要在焊盘04的外侧设置一圈密封圈(sealring)07，以实现器件晶圆和盖板晶圆的密封性，密封圈07的实现方式通常也是金金键合，最后在重布线层08上制作锡球，以实现将上述结构固定于封装基板上(图1中未示出)。然而上述封装结构，一方面，过多的金金键合导致了封装成本的居高不下，另一方面，由于密封圈07设置于焊盘04的外侧，导致了整体封装结构体积增大，这在如今追求小型化的半导体工艺中是不可容忍的。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体封装结构，以减小半导体器件的封装体积，同时降低封装成本。

根据本实用新型的一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：

衬底；

与所述衬底相对设置的盖板；

位于所述衬底靠近所述盖板的第一表面上的半导体器件；

位于所述半导体器件周围与所述电子器件电连接的电连接结构；

连接所述衬底和所述盖板的键合部；

贯穿所述衬底的通孔；

位于所述通孔中与所述电连接结构连接的第一互连层；

位于所述衬底第一表面相对的第二表面上的与所述第一互连层连接的第二互连层；

覆盖所述衬底第二表面、通孔和部分第二互连层的钝化层，所述第二互连层未被覆盖的部分设置有凸出所述钝化层的凸出部。

所述键合部覆盖所述电连接结构。

可选地，所述键合部为环状绝缘材料层或环状导电材料，当键合部为导电材料时，键合部与电连接结构之间还设置有一层绝缘层。

可选地，所述环状绝缘材料层为环氧树脂膜层。