[实用新型]晶圆的处理设备以及半导体处理系统

说明书

本申请提供了一种晶圆的处理设备以及半导体处理系统，该晶圆的处理设备包括：处理装置，包括壳体以及第一处理腔，第一处理腔位于壳体中，第一处理腔用于放置待处理的晶圆；混合装置，包括第一入口、第二入口以及出口，其中，出口与处理装置的入口连通，第一入口为预定气体的入口，第二入口为液体处理剂的入口。该晶圆的处理设备使得进入处理装置中的混合物中，预定气体和液体处理剂的混合较为均匀，从而使得预定气体能够更好地带动液体流动，进而使得液体处理剂对晶圆时的片内的均匀性较好，当同时处理多个晶圆时，也能保证不同的晶圆的处理效果较为一致，保证了晶圆与晶圆之间的均匀性较好。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆的处理设备以及半导体处理系统。

背景技术

在半层体领域，对晶圆进行液体处理时，通常将晶圆放入盛有对应处理液体的处理腔内，为了提高片内的均匀性和/或片和片之间的均匀性，通常向处理腔内通入气体，带动处理腔内的液体流动。

随着3D NAND层数的增加，片内的孔的深宽比越来越大，向处理腔内通入气体带动液体的流动的方式，对片内的均匀性以及片与片之间的均匀性的提高也很有限。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

实用新型内容

本申请的主要目的在于提供一种晶圆的处理设备以及半导体处理系统，以解决现有技术中的对晶圆进行处理的液体处理的方案难以很好地提高片内的均匀性的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种晶圆的处理设备，该晶圆的处理设备包括：处理装置，包括壳体以及第一处理腔，所述第一处理腔位于所述壳体中，所述第一处理腔用于放置待处理的晶圆；混合装置，包括第一入口、第二入口以及出口，其中，所述混合装置的出口与所述处理装置的入口连通，所述第一入口为预定气体的入口，所述第二入口为液体处理剂的入口。

进一步地，所述处理设备还包括：第一输送管路，一端与所述第二入口连通，另一端用于与储液设备连通；加压装置，与所述第一输送管路连通，用于向所述第一输送管路中的所述液体处理剂加压。

进一步地，所述混合装置包括本体结构和加强混合结构，所述本体结构包括混合腔体，所述混合腔体包括所述第一入口、所述第二入口和所述出口，所述加强混合结构的至少部分位于所述本体结构内，所述加强混合结构包括运动部。

进一步地，所述运动部为超声波结构。

进一步地，所述运动部为搅拌结构，所述搅拌结构的至少一端位于所述混合腔体内，所述搅拌结构用于对所述混合腔体内的所述预定气体和所述液体处理剂进行搅拌。

进一步地，所述运动部有两个，分别为超声波结构和搅拌结构，所述搅拌结构的至少一端位于所述混合腔体内。

进一步地，所述晶圆的处理设备还包括第二输送管路，所述混合装置的出口通过所述第二输送管路与所述处理装置连通。

进一步地，所述壳体具有顶部开口，所述第二输送管路穿入所述顶部开口，且所述第二输送管路的出口位于所述处理装置的底部。

进一步地，所述晶圆的处理设备还包括输送泵、加热器以及过滤器，所述输送泵通过所述第一输送管路与所述混合装置连通，所述输送泵用于向所述混合装置中输送所述液体处理剂，所述加热器位于所述输送泵和所述混合装置之间的所述第一输送管路上，所述过滤器位于所述加热器和所述混合装置之间的所述第一输送管路上，所述过滤器用于过滤经过的所述液体处理剂中的杂质。

进一步地，所述处理装置还包括第二处理腔，所述第二处理腔位于所述壳体与所述第一处理腔之间，所述第一处理腔的侧壁与所述壳体的底部之间的最大距离大于所述第二处理腔的侧壁与所述壳体的底部之间的最大距离，所述第二处理腔通过所述第一输送管路与所述混合装置连通。