[实用新型]晶圆的处理设备以及半导体处理系统

权利要求书

1.一种晶圆的处理设备，其特征在于，包括：

处理装置，包括壳体以及第一处理腔，所述第一处理腔位于所述壳体中，所述第一处理腔用于放置待处理的晶圆；

混合装置，包括第一入口、第二入口以及出口，其中，所述出口与所述处理装置的入口连通，所述第一入口为预定气体的入口，所述第二入口为液体处理剂的入口。

2.根据权利要求1所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述处理设备还包括：

第一输送管路，一端与所述第二入口连通，另一端用于与储液设备连通；

加压装置，与所述第一输送管路连通，用于向所述第一输送管路中的所述液体处理剂加压。

3.根据权利要求1所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述混合装置包括本体结构和加强混合结构，所述本体结构包括混合腔体，所述混合腔体包括所述第一入口、所述第二入口和所述出口，所述加强混合结构的至少部分位于所述本体结构内，所述加强混合结构包括运动部。

4.根据权利要求3所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述运动部为超声波结构。

5.根据权利要求3所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述运动部为搅拌结构，所述搅拌结构的至少一端位于所述混合腔体内，所述搅拌结构用于对所述混合腔体内的所述预定气体和所述液体处理剂进行搅拌。

6.根据权利要求3所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述运动部有两个，分别为超声波结构和搅拌结构，所述搅拌结构的至少一端位于所述混合腔体内。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述晶圆的处理设备还包括第二输送管路，所述混合装置的出口通过所述第二输送管路与所述处理装置连通。

8.根据权利要求7所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述壳体具有顶部开口，所述第二输送管路穿入所述顶部开口，且所述第二输送管路的出口位于所述处理装置的底部。

9.根据权利要求2所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述晶圆的处理设备还包括输送泵、加热器以及过滤器，所述输送泵通过所述第一输送管路与所述混合装置连通，所述输送泵用于向所述混合装置中输送所述液体处理剂，所述加热器位于所述输送泵和所述混合装置之间的所述第一输送管路上，所述过滤器位于所述加热器和所述混合装置之间的所述第一输送管路上，所述过滤器用于过滤经过的所述液体处理剂中的杂质。

10.根据权利要求2所述的晶圆的处理设备，其特征在于，所述处理装置还包括：

第二处理腔，所述第二处理腔位于所述壳体与所述第一处理腔之间，所述第一处理腔的侧壁与所述壳体的底部之间的最大距离大于所述第二处理腔的侧壁与所述壳体的底部之间的最大距离，所述第二处理腔通过所述第一输送管路与所述混合装置连通。

11.一种半导体处理系统，包括晶圆的处理设备，其特征在于，所述晶圆的处理设备为权利要求1至10中任一项所述的晶圆的处理设备。