[实用新型]半导体工艺腔室的进风装置及半导体工艺设备

说明书

本实用新型公开了一种半导体工艺腔室的进风装置及半导体工艺设备，装置包括：盒体，盒体具有相对的第一端面和第二端面，第一端面和第二端面之间设有沿盒体长度方向延伸的顶壁、与顶壁相对的底壁、第一侧壁以及与第一侧壁相对的第二侧壁，第一端面、第二端面、顶壁、底壁、第一侧壁以及第二侧壁围设形成盒体的匀流腔；第一端面上设置有进风通孔，第二侧壁上设置有多个出风通孔；匀流板，沿盒体的高度方向设置于盒体内并连接顶壁和底壁，匀流板上设有贯穿其厚度的多个匀流通孔；匀流板将匀流腔沿盒体的宽度方向分隔为第一缓冲区和第二缓冲区，进风通孔连通第一缓冲区，出风通孔连通第二缓冲区。实现增加进风盒出口的有效风量和流速。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，更具体地，涉及一种半导体工艺腔室的进风装置及半导体工艺设备。

背景技术

化学气相沉积外延生长是将反应气体输送到反应腔，通过加热等方式，使之反应，生长原子沉积在衬底上，长出单晶层。在工艺过程中，腔室内部的温度场分布，即加热方式和散热会影响外延生长。生成厚度和掺杂后电阻率的均匀性是外延工艺的重要指标，腔室内温度分布是影响电阻率均匀性的重要因素之一。

石墨托盘和晶圆表面温度梯度过大会导致工艺过程中碎片或片上产生滑移线等。4、6、8吋硅外延工艺是应用在功率器件芯片产线的一道外延工艺，通过对工艺腔室内部通入反应气体进行化学气相沉积，同时通入掺杂气体进行工艺掺杂，在晶圆表面生长出具有电阻率的外延层。硅外延工艺的反应温度约在1100℃，且晶圆表面的温度梯度不易过大。此外工艺腔室内部需要有很强的保温能力，防止高温wafer过度散热。因此，保证腔室内部壁面在稳态工艺时温度分布均匀是保证工艺结果稳定，产能提升的一个重要指标。

现有的多片外延设备是一款适用于制备4、6、8吋硅片外延工艺的机台设备，该设备采用感应线圈作为加热方式。由于腔室整体尺寸较大、制备硅片数量较多，区别于单片外延设备，该设备对于腔室整体的保温有更高的工艺要求。

目前该多片外延设备采用风冷结合水冷系统对腔室上表面进行降温，该机台腔室的风冷系统目前采用的进风盒为四区进气、四区排气的模式，生产过程中发现，该进风盒存在出口气体流速较慢、有效风量少且不均匀，导致风冷系统的换热能力较差，工艺腔室镀金面温度过高，易产生掉金，进而破坏工艺腔室内温度场的均匀性，影响工艺效果。

公开于本实用新型背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的是提出一种半导体工艺腔室的进风装置及半导体工艺设备，实现增加进风装置出口的有效风量和流速，提升风冷系统整体的排风量以此增强风冷系统对于镀金腔室表面的强制对流换热能力。

第一方面，本实用新型提出了一种半导体工艺腔室的进风装置，包括：

盒体，所述盒体具有相对的第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面之间设有沿所述盒体长度方向延伸的顶壁、与所述顶壁相对的底壁、第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一端面、所述第二端面、所述顶壁、所述底壁、所述第一侧壁以及所述第二侧壁围设形成所述盒体的匀流腔；所述第一端面上设置有进风通孔，所述第二侧壁上设置有多个出风通孔；

匀流板，所述匀流板沿所述盒体的高度方向设置于所述盒体内并连接所述顶壁和所述底壁，所述匀流板上设有贯穿其厚度的多个匀流通孔；所述匀流板将所述匀流腔沿所述盒体的宽度方向分隔为第一缓冲区和第二缓冲区，其中所述第一缓冲区靠近所述第一侧壁，所述第二缓冲区靠近所述第二侧壁，所述进风通孔连通所述第一缓冲区，所述出风通孔连通所述第二缓冲区。

可选地，所述进风通孔沿所述盒体长度方向的截面的面积逐渐减小。

可选地，所述进风通孔的内壁包括靠近所述顶壁的第一内壁面、靠近所述底壁的第二内壁面、靠近所述第一侧壁的第三内壁面以及靠近所述第二侧壁的第四内壁面；