[实用新型]半导体工艺腔室的进风装置及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，包括：

盒体，所述盒体具有相对的第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面之间设有沿所述盒体长度方向延伸的顶壁、与所述顶壁相对的底壁、第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一端面、所述第二端面、所述顶壁、所述底壁、所述第一侧壁以及所述第二侧壁围设形成所述盒体的匀流腔；所述第一端面上设置有进风通孔，所述第二侧壁上设置有多个出风通孔；

匀流板，所述匀流板沿所述盒体的高度方向设置于所述盒体内并连接所述顶壁和所述底壁，所述匀流板上设有贯穿其厚度的多个匀流通孔；所述匀流板将所述匀流腔沿所述盒体的宽度方向分隔为第一缓冲区和第二缓冲区，其中所述第一缓冲区靠近所述第一侧壁，所述第二缓冲区靠近所述第二侧壁，所述进风通孔连通所述第一缓冲区，所述出风通孔连通所述第二缓冲区。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述进风通孔沿所述盒体长度方向的截面的面积逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述进风通孔的内壁包括靠近所述顶壁的第一内壁面、靠近所述底壁的第二内壁面、靠近所述第一侧壁的第三内壁面以及靠近所述第二侧壁的第四内壁面；

所述第一内壁面、所述第二内壁面和所述第四内壁面均沿所述盒体长度方向向靠近所述进风通孔的中心轴的方向延伸，所述第四内壁面与所述匀流板的一端相接。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述第一侧壁与所述匀流板之间的距离大于所述匀流板与所述第二侧壁之间的距离。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，多个所述匀流通孔在所述匀流板上沿所述盒体的长度方向呈直线排布；

多个所述出风通孔在所述第二侧壁上沿所述盒体的高度方向排布为多层，每层的多个所述出风孔沿所述盒体的长度方向呈直线排布。

6.根据权利要求5所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述匀流通孔的孔径大于所述出风通孔的孔径。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述匀流通孔的孔径与多层所述出风通孔在所述盒体的高度方向上的总高度相同。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述出风通孔为锥孔，且所述锥孔的直径沿所述盒体的宽度方向逐渐增大。

9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室的进风装置，其特征在于，所述第一侧壁与所述第二端面的连接处为弧形过渡面。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室和如权利要求1-9任意一项所述的进风装置，所述进风装置设置于所述工艺腔室上，用于向所述工艺腔室提供均匀的冷却气流。