[实用新型]一种半导体器件用封装结构有效

专利信息
申请号: 202221292209.6 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN217405415U 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 詹鑫源 申请(专利权)人: 湖北方晶电子科技有限责任公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31
代理公司: 无锡智睿风行知识产权代理事务所(普通合伙) 32631 代理人: 凤婷
地址: 443600 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 封装 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体器件用封装结构,具体涉及半导体器件技术领域,包括外壳和位于外壳内部的芯片,外壳由上外壳和位于上外壳下方的下外壳构成,且上外壳通过连接框与下外壳连接,连接框顶部的两侧均开设有一组散热凹槽,每组散热凹槽的内部均插接有导热片,每组导热片的一端与一个吸热片一侧连接,每组导热片的另一端均固定连接有连接片,两组连接片的自由端均与散热片对应的侧边连接,两个吸热片靠近芯片的一侧均设置有多个吸热凸体,散热片靠近上外壳的一侧均设置有多个散热凸体。通过设置吸热片、导热片、连接片和散热片的相互配合,不仅能够满足密封性要求,也能够进行快速散热,从而延长整个半导体器件的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体为一种半导体器件用封装结构。

背景技术

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。它可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。

目前半导体器件在生产过程中都需要外壳进行外封装,构成外壳的上外壳和下外壳就是封装结构,但是现有上外壳和下外壳为了保持封装的密封性,整体散热性能较差,长时间工作会影响半导体器件的使用寿命,为此我们提出一种半导体器件用封装结构。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足,本实用新型提供一种半导体器件用封装结构,通过设置吸热片、导热片、连接片和散热片的相互配合,不仅能够满足密封性要求,也能够进行快速散热,从而延长整个半导体器件的使用寿命。

为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体器件用封装结构,包括外壳和位于外壳内部的芯片,所述外壳由上外壳和位于上外壳下方的下外壳构成,且上外壳通过连接框与下外壳连接,所述连接框顶部的两侧均开设有一组散热凹槽,每组所述散热凹槽的内部均插接有导热片,每组所述导热片的一端与一个吸热片一侧连接,每组所述导热片的另一端均固定连接有连接片,两组所述连接片的自由端均与散热片对应的侧边连接,两个所述吸热片靠近芯片的一侧均设置有多个吸热凸体,所述散热片靠近上外壳的一侧均设置有多个散热凸体。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述芯片由内芯和与内芯侧边连接的两组接线脚构成,所述连接框底部的两侧均开设有一组接线凹槽,所述下外壳在与每个接线凹槽位置相对应的部位均开设有一个通槽,且每个通槽的内部尺寸与对应接线凹槽的内部尺寸相同,每个通槽与对应接线凹槽构成一个矩形槽,每个所述接线脚的一端穿过对应的矩形槽。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述连接框通过焊接方式与下外壳和上外壳进行连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案,每个所述散热凹槽的内部均填充有导热硅脂。

作为本实用新型的一种优选技术方案,每组所述导热片的数量至少设置为五个。

作为本实用新型的一种优选技术方案,每个所述导热片的一端与对应连接片的一端通过焊接方式连接,同一侧的多个导热片的另一端与对应吸热片的一侧通过焊接方式连接,同一侧的多个连接片的另一端通过焊接方式与散热片对应的侧边连接。

作为本实用新型的一种优选技术方案,每个所述矩形槽的内部均填充有导热硅脂。

与现有技术相比,本实用新型能达到的有益效果是:

1、通过外壳内部的两个吸热片上的多个吸热凸体吸收热量,热量会通过多个导热片快速传递到多个连接片上,随后通过连接片传递到散热片上,通过散热片和所设置的多个散热凸体进行散热,该设计通过设置吸热片、导热片、连接片和散热片的相互配合,同时设置的吸热凸体和散热凸体,能够进行快速散热,从而延长整个半导体器件的使用寿命;

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