[实用新型]一种巨量转移装置有效
申请号: | 202220694857.8 | 申请日: | 2022-03-28 |
公开(公告)号: | CN217062028U | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 李强;萧俊龙;林浩翔 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 秦胜军;刘文求 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 巨量 转移 装置 | ||
本实用新型公开了一种巨量转移装置,其中,包括用于发射激光光束的激光发射器,以及沿所述激光光束的光路依次设置的光路组件,用于固定暂存基板的上载台和用于承载显示背板的下载台,所述上载台包括控制部件和第一载台主体,所述暂存基板固定在所述第一载台主体上,所述控制部件用于调整所述第一载台主体,以使所述第一载台主体与所述下载台平行。在巨量转移过程中通过控制部件移动第一载台主体,使暂存基板对准显示背板,而且使暂存基板所在的平面平行于显示背板所在的下载台的平面,从而便于提高对位准确度,提高转移良率,加快巨量转移速度。
技术领域
本实用新型涉及半导体显示技术领域,特别是涉及一种巨量转移装置。
背景技术
目前,随着半导体显示技术的发展,Mini LED芯片和Micro LED芯片逐渐代替传统的发光二极管(light-emitting diode,简称LED)芯片,具有更广泛的应用市场,通过在显示背板上组装尺寸小、数量庞大的芯片,有利于提高显示设备的显示性能,给人们代来更好的视觉体验。在生产制造过程中,常需要使用巨量转移的方式将大量的Micro LED芯片从生长基板上转移至显示背板上,为了降低成本、简化工艺步骤、加快Micro LED显示产品的发展,目前巨量转移过程中逐渐使用速度快、精度高和成本低的激光转移方式代替印章式巨量转移。
但是,现有的激光转移技术都是将生长基板和显示背板都设置在光路中,通过激光光束进行剥离和转移,生长基板的位置固定,与显示背板对位的时候无法调平,需要反复调整,导致巨量转移良率受到影响,产生转移速度慢的问题。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种巨量转移装置,旨在解决现有的巨量转移过程中生长基板的对位调整的时间长,导致巨量转移速度慢的问题。
本实用新型的技术方案如下:
一种巨量转移装置,其中,包括用于发射激光光束的激光发射器,以及沿所述激光光束的光路依次设置的光路组件,用于固定暂存基板的上载台和用于承载显示背板的下载台,所述上载台包括控制部件和第一载台主体,所述暂存基板固定在所述第一载台主体上,所述控制部件用于调整所述第一载台主体,以使所述第一载台主体与所述下载台平行。
所述的巨量转移装置,其中,所述上载台还包括对位相机,所述对位相机设于所述第一载台主体背离所述下载台的一侧,用于采集所述暂存基板上的标记图像和所显示背板上的标记图像。
所述的巨量转移装置,其中,所述第一载台主体上设有镂空孔,用于透过激光;并且,所述第一载台主体上围绕所述镂空孔设有第一吸附区,用于吸附固定所述暂存基板。
所述的巨量转移装置,其中,所述下载台包括第二载台主体和测距模块,所述第二载台主体与所述第一载台主体相对设置,用于承载所述显示背板;所述测距模块设于所述第二载台主体的边缘位置,用于测量所述第一载台主体与所述第二载台主体之间的间距。
所述的巨量转移装置,其中,所述第二载台主体的形状为多边形;所述测距模块设有至少三个;并且,至少三个所述测距模块沿所述第二载台主体的边缘折线形排布。
所述的巨量转移装置,其中,所述第二载台主体上设有第二吸附区,所述第二吸附区的位置与所述暂存基板沿光路在所述第二载台主体上投影的位置重叠。
所述的巨量转移装置,其中,所述下载台还包括加热件,所述加热件设于所述第二载台主体内,用于加热所述显示背板。
所述的巨量转移装置,其中,所述光路组件包括半反射透镜,所述半反射透镜用于将一束所述激光光束分为两束转移光束。
所述的巨量转移装置,其中,所述光路组件还包括两组沿所述转移光束的光路设置的半波片、偏振片和聚焦透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造