[实用新型]一种硅基基板及芯片

说明书

本实用新型实施例公开一种硅基基板及芯片，涉及半导体封装技术领域，方便通过同一硅基基板有效兼顾短距高密度的信号传输以及长距低损耗的信号传输。所述硅基基板包括：基板本体，所述基板本体中设置有至少两个过孔，所述至少两个过孔包括至少一个第一过孔以及至少一个第二过孔，所述第一过孔的横截面积大于所述第二过孔的横截面积；其中，所述第一过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第一金属线，所述第二过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第二金属线，所述第一金属线的横截面积大于所述第二金属线的横截面积。本实用新型适用于芯片封装中。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种硅基基板及芯片。

背景技术

随着电子产品的小型化、集成化、智能化，芯片的复杂度及使用数量大幅度增加，芯片封装的复杂程度也越来越高。在芯片封装中，通常可以通过硅片以及有机基板实现单个晶粒的不同引脚之间或多个晶粒之间的互联。

对于上述通过硅片实现的互联而言，通常采用密集金属细线(通常线宽小于1um(微米)，线高度小于1um)作为互联线，并通过在硅片中设置细密的过孔连接硅片中不同层的金属细线。这些过孔一般尺寸较小、分布较均匀，既便于实现高密度、大带宽的片间短距信号传输，也便于制造工艺的控制。

然而，这种过孔和互联结构虽能有效支持短距信号传输，但在长距离、高速度信号传输中会导致损失信号完整性，使接收端信号与原始传输端不符，从而导致芯片功能失误。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种硅基基板及芯片，方便在芯片封装中通过同一硅基基板有效兼顾短距高密度的信号传输以及长距低损耗的信号传输。

第一方面，本实用新型的实施例提供一种硅基基板，包括：基板本体，所述基板本体中设置有至少两个过孔，所述至少两个过孔包括至少一个第一过孔以及至少一个第二过孔，所述第一过孔的横截面积大于所述第二过孔的横截面积；其中，所述第一过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第一金属线，所述第二过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第二金属线，所述第一金属线的横截面积大于所述第二金属线的横截面积；其中，所述至少两个过孔中的至少一个过孔具有如下位置中的任一种：一端位于所述基板本体的第一表面，另一端位于所述基板本体内部；一端位于所述基板本体的第二表面，另一端位于所述基板本体内部；一端位于所述基板本体的第一表面，另一端位于所述基板本体的第二表面；两端均位于所述基板本体内部；其中，所述基板本体的第一表面用于布设晶粒，所述第二表面与所述第一表面相背向。

可选的，所述第一过孔的横截面积大于第一面积阈值，所述第二过孔的横截面积小于第二面积阈值，其中，所述第一面积阈值大于或等于所述第二面积阈值。

可选的，所述第一过孔的横截面积与所述第二过孔的横截面积的比值大于或等于第一比例阈值。

可选的，所述第一比例阈值为2:1、4:1、5:1、9:1、16:1。

可选的，在所述基板本体内的至少局部空间区域内，在平行于所述基板本体第一表面的方向上，和/或，在垂直于所述基板本体第一表面的方向上，第一过孔和第二过孔交错布置。

可选的，所述基板本体的第一表面用于布设晶粒；所述第二过孔用于电连接的第二金属线与所述第一过孔用于电连接的第一金属线在所述基板本体中分层布设，所述第二金属线所在层相对于所述第一金属线所在层，更靠近所述基板本体的第一表面。

可选的，所述第一金属线的长度大于第一长度阈值，所述第二金属线的长度小于或等于第一长度阈值。

可选的，所述第一长度阈值的取值范围为4毫米至6毫米。