[实用新型]工艺腔室及半导体工艺设备

说明书

本实用新型提供一种工艺腔室及半导体工艺设备。其中，工艺腔室包括腔体和进气管路，腔体底部设置有下进气口，进气管路与下进气口连通；其还包括过滤装置；过滤装置设置于下进气口处，过滤装置能够阻挡腔体内部的固态颗粒下落至进气管路内部，且能够供吹扫气体由下进气口通入腔体内部。本实用新型提供的工艺腔室及半导体工艺设备，其能够有效防止残留在腔体内部的固态颗粒落入进气管路中，从而能够避免进气管路中发生颗粒问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

在传统干法刻蚀工艺中，反应气体通常通过进气管路从上端通入工艺腔室中，经过匀流装置后，反应气体与基座上的晶圆表面接触，以对晶圆进行刻蚀。但一些刻蚀反应完成后通常会产生固态的副产物，例如：将HF和NH₃作为刻蚀气体刻蚀SiO₂晶圆的反应会生成(NH₄)₂SiF₆，(NH₄)₂SiF₆在一般状态下通常呈固态颗粒状；而在刻蚀工艺结束后，设置在工艺腔室底部的进气管路会向工艺腔室内部通入吹扫气体，同时与工艺腔室连接的干泵会开启，以抽出工艺腔室内部气体，从而将上述固态颗粒和剩余反应气体连同吹扫气体一起抽出。

但在实际生产中，为了追求产能最大化，上述通入吹扫气体和干泵开启的过程时长会很短，因此刻蚀反应产生的固态颗粒并不能完全地被抽出。而未被排出的固态颗粒会悬浮在工艺腔室内部，在工艺腔室闲置一定时长后，固态颗粒副产物会沉积到工艺腔室底部，进入进气管路内部。久而久之，固态颗粒会在进气管路内部大量聚集，影响进气管路的进气效果，进而需要对进气管路的部件进行频繁地更换，导致设备和工艺成本升高，也提高了设备的维护难度。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室及半导体工艺设备，其能够避免工艺反应生成的固态颗粒落入腔体底部的进气管路中，以大量的固态颗粒聚集在进气管路中。

为实现本实用新型的目的而提供一种工艺腔室，包括腔体和进气管路，所述腔体底部设置有下进气口，所述进气管路与所述下进气口连通；其特征在于，还包括过滤装置；

所述过滤装置设置于所述下进气口处，所述过滤装置能够阻挡所述腔体内部的固态颗粒下落至所述进气管路内部，且能够供吹扫气体由所述下进气口通入所述腔体内部。

可选的，所述过滤装置包括在竖直方向上间隔设置的至少两个过滤网，各所述过滤网的网孔尺寸由上至下依次减小。

可选的，各所述过滤网在水平方向上投影的轮廓均与所述下进气口在水平方向上投影的轮廓相同。

可选的，所述过滤装置包括至少两个可拆卸的分体。

可选的，所述过滤装置还包括沿其自身的外周缘凸出的凸起部，所述凸起部用于叠置在所述下进气口边缘处的表面上。

可选的，所述工艺腔室还包括基座和设置在所述基座底部的升降轴，所述升降轴用于驱动所述基座上升和下降；

所述升降轴由所述下进气口伸出，且所述进气管路环绕所述升降杆外周面设置；

所述过滤装置呈环状，套设在所述升降轴的外周面上。

可选的，所述进气管路为波纹管，所述波纹管环绕所述升降轴的外周面，且所述波纹管的出气端与所述下进气口密封连接，所述波纹管的进气端与气源连通。

可选的，所述过滤装置包括可拆卸的第一分体和第二分体，所述第一分体和所述第二分体呈相对称的半圆环状，且两者能够拼接成完整的圆环。

可选的，所述工艺腔室还包括抽气装置，所述抽气装置与所述腔体连通，用于抽出所述腔体内部的气体。