[实用新型]工艺腔室及半导体工艺设备有效
| 申请号： | 202220345496.6 | 申请日： | 2022-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN217009133U | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 于宸崎 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺 半导体 工艺设备 | ||
1.一种工艺腔室，包括腔体和进气管路，所述腔体底部设置有下进气口，所述进气管路与所述下进气口连通；其特征在于，还包括过滤装置；
所述过滤装置设置于所述下进气口处，所述过滤装置能够阻挡所述腔体内部的固态颗粒下落至所述进气管路内部，且能够供吹扫气体由所述下进气口通入所述腔体内部。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述过滤装置包括在竖直方向上间隔设置的至少两个过滤网，各所述过滤网的网孔尺寸由上至下依次减小。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，各所述过滤网在水平方向上投影的轮廓均与所述下进气口在水平方向上投影的轮廓相同。
4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述过滤装置包括至少两个可拆卸的分体。
5.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述过滤装置还包括沿其自身的外周缘凸出的凸起部，所述凸起部用于叠置在所述下进气口边缘处的表面上。
6.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括基座和设置在所述基座底部的升降轴，所述升降轴用于驱动所述基座上升和下降；
所述升降轴由所述下进气口伸出，且所述进气管路环绕所述升降轴外周面设置；
所述过滤装置呈环状，套设在所述升降轴的外周面上。
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述进气管路为波纹管，所述波纹管环绕所述升降轴的外周面，且所述波纹管的出气端与所述下进气口密封连接，所述波纹管的进气端与气源连通。
8.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述过滤装置包括可拆卸的第一分体和第二分体，所述第一分体和所述第二分体呈相对称的半圆环状，且两者能够拼接成完整的圆环。
9.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括抽气装置，所述抽气装置与所述腔体连通，用于抽出所述腔体内部的气体。
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的工艺腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
