[实用新型]一种半导体真空传输系统有效
申请号: | 202220234517.7 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN216902862U | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 董怀宝;高飞翔;刘锐 | 申请(专利权)人: | 上海广川科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 徐琳;吴世华 |
地址: | 200444 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 真空 传输 系统 | ||
本实用新型涉及半导体制造的技术领域,公开了一种半导体真空传输系统,包括真空侧和大气侧,两者通过多个LoadLock腔室连通,在大气侧设置有EFEM,在EFEM内部设置有大气机器人,在真空侧设置有真空传输腔体以及与真空传输腔体连通的多个工艺腔体,在大气机器人的末端执行器设置有状态检测传感器,所述状态检测传感器与半导体真空传输系统的处理器相连,用于检测LoadLock腔室内部的卡槽中是否有晶圆。本实用新型的获取方法仅需要增设状态检测传感器即可,无需复杂的硬件,可以最大限度地减少成本,便于推广应用。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造的技术领域,具体涉及一种半导体真空传输系统。
背景技术
图1为典型的半导体真空传输系统,主要由2-EFEM、3–LoadLock、4–真空传输腔体和5-工艺腔体,其中,1–大气机器人为2–EFEM中核心部件,用于将晶圆从前端的大气环境中传输至3-LoadLock中,LoadLock作为大气和真空的中转腔室,需要频繁的在大气和真空状态中进行切换,LoadLock一般有一层或多层用于晶圆存放的槽位。当从EFEM向LoadLock取放晶圆时,需要充入氮气将腔内的压力调整为大气状态,然后开启LoadLock靠近EFEM侧的传输阀,进行晶圆取放;当从真空传输腔体向LoadLock取放晶圆时,需要将LoadLock中的气体抽出,调整至真空状态,然后开启LoadLock靠近真空传输腔体侧的传输阀,进行晶圆取放。
由于LoadLock需要在真空环境下运行,所以在LoadLock内部进行传感器的安装和走线十分困难。目前,LoadLock晶圆状态的初始化是通过上位机软件存储或者肉眼观测的方式进行判别,而在设备运行过程中会存在诸多突发停机状况,导致软件存储的LoadLock晶圆状态与实际的状态存在不一致,在此种情况下,如果操作员由于疏忽遗漏了状态确认和修正,会导致错误的指令下发,从而导致撞片等故障,造成不必要的经济损失和宕机状况。
实用新型内容
本实用新型提供了一种半导体真空传输系统,通过在大气机器人的末端执行器增设状态检测传感器,就可以实现对LoadLock腔体内部各个卡槽中晶圆实际状态的查询,无需额外增加复杂的硬件,在设备初始或者突发紧急停机后,执行该操作,可以有效保证传片的安全性。
本实用新型可通过以下技术方案实现:
一种半导体真空传输系统,包括真空侧和大气侧,两者通过多个LoadLock腔室连通,在大气侧设置有EFEM,在EFEM内部设置有大气机器人,在真空侧设置有真空传输腔体以及与真空传输腔体连通的多个工艺腔体,在大气机器人的末端执行器设置有状态检测传感器,所述状态检测传感器与半导体真空传输系统的处理器相连,用于检测LoadLock腔室内部的卡槽中是否有晶圆。
进一步,所述状态检测传感器设置为两个Mapping传感器,其中一个Mapping传感器设置在末端执行器的一侧,另一个Mapping传感器设置在末端执行器的另一侧,它们相对设置,其光线处于同一直线上。
本实用新型有益的技术效果在于:
本实用新型的获取方法可以事先获知LoadLock腔室的各层卡槽中的晶圆状态,及时进行增补,避免后续取放作业造成碰片等故障,减少不必要的经济损失,提高半导体真空传输系统的整体智能化水平,同时,本实用新型的获取方法仅需要增设状态检测传感器即可,无需复杂的硬件,可以最大限度地减少成本,便于推广应用。
附图说明
图1为本实用新型的现有半导体真空传输系统的总体结构示意图;
图2为本实用新型的状态检测传感器的安装状态示意图;
图3为本实用新型的第一种检测方式的执行状态示意图;
图4为本实用新型的第二种检测方法的执行状态示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造