[发明专利]具有非对称面的发光二极管结构物在审

专利信息
申请号: 202211624056.5 申请日: 2022-12-16
公开(公告)号: CN116417446A 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 都永洛 申请(专利权)人: 国民大学校产学协力团
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075
代理公司: 北京鸿德海业知识产权代理有限公司 11412 代理人: 于未茗
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 对称 发光二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种具有非对称面的发光二极管结构物,其为沿第一方向层叠有包括第一导电半导体层、光敏层及第二导电半导体层的多层且包括沿第一方向相向的第一面和第二面的发光二极管结构物,其特征在于,上述第一面与第二面的形状同余且上述第一面和第二面的形状为无对称轴的非对称形状。

2.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,上述发光二极管结构物的除第一面和第二面之外的其余面的形状为与上述第一面及第二面中的至少一个面的形状不同的形状。

3.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,上述第一面及第二面的面积为0.20μm2~100μm2

4.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,作为上述第一面与第二面之间的垂直距离的厚度为0.3μm~3.5μm。

5.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,上述第一导电半导体层为n型III-氮化物半导体层,上述具有非对称面的发光二极管结构物还包括位于第一导电半导体层下部的电子延迟层,使得在上述光敏层中复合的电子和空穴的数量平衡。

6.根据权利要求5所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,上述电子延迟层包含选自由CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、GaTe、SiC、ZnO、ZnMgO、SnO2、TiO2、In2O3、Ga2O3、Si、聚(对亚苯基亚乙烯基)及其衍生物、聚苯胺、聚(3-烷基噻吩)及聚(对亚苯基)组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求5所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,上述第一导电半导体层为掺杂的n型III-氮化物半导体层,上述电子延迟层为掺杂浓度低于上述第一导电半导体层的III-氮化物半导体。

8.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,还包括包围面方向平行于上述第一方向的发光二极管结构物的侧面的保护膜。

9.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,

上述第一导电半导体层为n型III-氮化物半导体层,上述第二导电半导体层为p型III-氮化物半导体层,

上述具有非对称面的发光二极管结构物还包括空穴推动膜及电子推动膜中的至少一个功能膜,

上述空穴推动膜用于通过覆盖在第二导电半导体层的暴露侧面或第二导电半导体层的暴露侧面和光敏层的至少一部分暴露侧面来使暴露侧面的表面侧的空穴向中心侧移动,

上述电子推动膜用于通过包围上述第一导电半导体层的暴露侧面来使暴露侧面的表面侧的电子向中心侧移动。

10.根据权利要求1所述的具有非对称面的发光二极管结构物,其特征在于,上述发光二极管结构物还包括设置于第一导电半导体层上的第二电极层以及设置于第二导电半导体层上的第一电极层中的一种以上。

11.一种印刷装置用墨水组合物,其特征在于,包含多个根据权利要求1至10中任一项所述的具有非对称面的发光二极管结构物。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国民大学校产学协力团,未经国民大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211624056.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top