[发明专利]晶圆的外延生长方法及设备

权利要求书

1.一种晶圆的外延生长方法，其特征在于，包括：

将晶圆放置在外延生长设备的反应腔室内部的基座上；

向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面生长第一外延层；

判断所述第一外延层的生长是否中断；

如果所述第一外延层的生长中断，在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面生长的第一外延层进行刻蚀；

在对所述第一外延层的刻蚀深度达到设定值后，向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面生长第二外延层。

2.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，判断所述第一外延层的生长是否中断包括以下任一项：

在到达预设的生长时间后，测量所述第一外延层的厚度，判断所述第一外延层的厚度是否达到目标厚度，如果未达到，判断所述第一外延层的生长中断；

接收到外延生长设备的中断信号，判断所述第一外延层的生长中断，所述中断信号指示晶圆的外延生长过程中断。

3.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，还包括确定所述设定值的步骤，确定所述设定值包括：

测量所述第一外延层的实际厚度，根据所述实际厚度确定所述设定值，所述设定值小于所述实际厚度，且与所述实际厚度的差值为1-2μm。

4.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，所述第二外延层的目标厚度k为h-(x-r)，其中，h为所述第一外延层的目标厚度，x为所述第一外延层的实际厚度，r为所述设定值。

5.根据权利要求1所述的晶圆的外延生长方法，其特征在于，

向所述反应腔室内通入刻蚀气体的时长为10s～120s；

向所述反应腔室内通入刻蚀气体的流量为500sccm～2000sccm；

所述第一温度为1115℃～1130℃。

6.一种晶圆的外延生长设备，其特征在于，包括：

反应腔室，所述反应腔室内部设置有用以承载晶圆的基座；

刻蚀气体供应装置，用以向所述反应腔室内输送刻蚀气体；

硅源气体供应装置，用以向所述反应腔室内输送硅源气体；

控制装置，用于控制所述硅源气体供应装置向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面生长第一外延层；判断所述第一外延层的生长是否中断；如果所述第一外延层的生长中断，控制所述刻蚀气体供应装置在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面生长的第一外延层进行刻蚀；在对所述第一外延层的刻蚀深度达到设定值后，控制所述硅源气体供应装置向所述反应腔室内通入硅源气体，在所述晶圆的表面生长第二外延层。

7.根据权利要求6所述的晶圆的外延生长设备，其特征在于，

所述控制装置具体用于在到达预设的生长时间后，测量所述第一外延层的厚度，判断所述第一外延层的厚度是否达到目标厚度，如果未达到，判断所述第一外延层的生长中断；或

接收到外延生长设备的中断信号，判断所述第一外延层的生长中断，所述中断信号指示晶圆的外延生长过程中断。

8.根据权利要求6所述的晶圆的外延生长设备，其特征在于，

所述控制装置还用于测量所述第一外延层的实际厚度，根据所述实际厚度确定所述设定值，所述设定值小于所述实际厚度，且与所述实际厚度的差值为1-2μm。

9.根据权利要求6所述的晶圆的外延生长设备，其特征在于，所述第二外延层的目标厚度k为h-(x-r)，其中，h为所述第一外延层的目标厚度，x为所述第一外延层的实际厚度，r为所述设定值。

10.根据权利要求6所述的晶圆的外延生长设备，其特征在于，

所述控制装置具体用于控制所述刻蚀气体供应装置向所述反应腔室内通入刻蚀气体的时长为10s～120s，向所述反应腔室内通入刻蚀气体的流量为500sccm～2000sccm。