[发明专利]玻璃芯之间的超低损耗布线在审
| 申请号: | 202211483818.4 | 申请日: | 2022-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN116344491A | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | A·萨因;A·P·柯林斯;S·潘迪;T·卡姆嘎因;T·阿西卡林;S·山田 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/538;H01L23/15;H01L23/64 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张伟 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 之间 损耗 布线 | ||
1.一种电子设备,包括:
芯,其中,所述芯包括:
第一层,包括玻璃;
第二层,包括玻璃,所述第二层在所述第一层之上;以及
迹线,在所述第一层与所述第二层之间;以及
布线层,在所述芯上。
2.根据权利要求1所述的电子设备,还包括:
所述第一层与所述第二层之间的粘合剂。
3.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述迹线的厚度基本上等于所述粘合剂的厚度。
4.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述迹线的厚度小于所述粘合剂的厚度。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的电子设备,还包括:
第一平面,在所述第一层之下,其中,所述第一平面是导电的;以及
第二平面,在所述第二层之上,其中,所述第二平面是导电的。
6.根据权利要求5所述的电子设备,还包括:
过孔,穿过所述第一层和所述第二层以将所述第一平面连接到所述第二平面。
7.根据权利要求1、2、3或4所述的电子设备,还包括:
第一过孔,穿过所述第二层并且耦合到所述迹线的第一端;
第二过孔,穿过所述第一层并且耦合到所述迹线的第二端。
8.根据权利要求1、2、3或4所述的电子设备,还包括:
第一过孔,穿过所述第二层并且耦合到所述迹线的第一端;以及
第二过孔,穿过所述第二层并且耦合到所述迹线的第二端。
9.根据权利要求8所述的电子设备,其中,所述第一过孔耦合到管芯,并且所述第二过孔耦合到管芯侧部件。
10.根据权利要求1、2、3或4所述的电子设备,还包括:
第一腔体,在所述第一层中;以及
第二腔体,在所述第二层中、位于所述第一腔体上方,其中,所述迹线填充所述第一腔体和所述第二腔体。
11.一种电子设备,包括:
芯,其中,所述芯包括:
第一层,包括玻璃;
粘合剂,在所述第一层之上;
第二层,包括玻璃,所述第二层在所述粘合剂之上;
第一区域,在所述芯的中心处,其中,所述第一区域提供用于功率输送的第一迹线;以及
第二区域,围绕所述第一区域,其中,所述第二区域提供用于信号布线的第二迹线。
12.根据权利要求11所述的电子设备,其中,所述第一迹线和所述第二迹线在所述第一层与所述第二层之间。
13.根据权利要求11或12所述的电子设备,其中,所述第一迹线的厚度大于所述第二迹线的厚度。
14.根据权利要求13所述的电子设备,其中,所述第一迹线延伸到所述第一层和所述第二层中的腔体中。
15.根据权利要求13所述的电子设备,其中,所述粘合剂层直接接触所述第二迹线的顶表面或所述第二迹线的底表面。
16.根据权利要求11或12所述的电子设备,其中,所述第一层和所述第二层各自具有约100μm或更大的厚度。
17.根据权利要求11或12所述的电子设备,其中,所述第二迹线被配置为根据高速串行互连协议进行操作。
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