[发明专利]发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底(10)，以及依次叠设在所述衬底(10)上的外延层(30)、第一电极(40)、第二电极(50)和PV钝化层(60)；

所述发光二极管还包括第一焊点(70)、第二焊点(80)和垫层(90)，所述第二焊点(80)与所述第二电极(50)相连，所述垫层(90)位于所述外延层(30)和所述第一焊点(70)之间，以使所述第一焊点(70)背离所述外延层(30)的一面平齐。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述垫层(90)位于所述PV钝化层(60)和所述第一焊点(70)之间。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述垫层(90)叠设在所述PV钝化层(60)上，且所述垫层(90)的朝向所述第一焊点(70)的一面与所述PV钝化层(60)朝向所述第一焊点(70)的一面平齐；

所述第一焊点(70)的一部分叠设在所述PV钝化层(60)上，所述第一焊点(70)的另一部分叠设在所述垫层(90)上。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述垫层(90)位于所述外延层(30)和所述PV钝化层(60)之间。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述垫层(90)叠设在所述外延层(30)上，且所述垫层(90)的朝向所述第一焊点(70)的一面与所述外延层(30)朝向所述第一焊点(70)的一面平齐；

所述PV钝化层(60)的一部分叠设在所述外延层(30)上，所述PV钝化层(60)的另一部分叠设在所述垫层(90)上。

6.根据权利要求1-5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述垫层(90)为Ti、Al、Pt金属结构件中的至少一种。

7.根据权利要求1-5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述垫层(90)在外延生长方向上的厚度为4～6um。

8.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底(10)；

在所述衬底(10)的一面依次叠设外延层(30)、第一电极(40)、第二电极(50)；

设置PV钝化层(60)、第一焊点(70)、第二焊点(80)和垫层(90)，所述第一焊点(70)与所述第一电极(40)相连，所述第二焊点(80)与所述第二电极(50)相连，所述PV钝化层(60)和所述垫层(90)均位于所述外延层(30)和所述第一焊点(70)之间，以使所述第一焊点(70)背离所述外延层(30)的一面平齐。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，设置PV钝化层(60)、第一焊点(70)、第二焊点(80)和垫层(90)，包括：

在所述外延层(30)上设置所述PV钝化层(60)；

在所述PV钝化层(60)上设置所述垫层(90)，所述垫层(90)的背离所述外延层(30)的一面与所述PV钝化层(60)的背离所述外延层(30)的一面平齐；

分别设置所述第一焊点(70)和所述第二焊点(80)，所述第一焊点(70)的一部分叠设在所述PV钝化层(60)上，所述第一焊点(70)的另一部分叠设在所述垫层(90)上。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，设置PV钝化层(60)、第一焊点(70)、第二焊点(80)和垫层(90)，包括：

在所述外延层(30)上设置所述垫层(90)，所述垫层(90)的朝向所述第一焊点(70)的一面与所述外延层(30)朝向所述第一焊点(70)的一面平齐；

在所述外延层(30)上设置所述PV钝化层(60)，所述PV钝化层(60)的一部分叠设在所述外延层(30)上，所述PV钝化层(60)的另一部分叠设在所述垫层(90)上；

在所述PV钝化层(60)上分别设置所述第一焊点(70)和所述第二焊点(80)。