[发明专利]非易失性存储器装置及其编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串各自包括第一堆叠件和邻近于所述第一堆叠件的第二堆叠件，所述操作方法包括步骤：

通过将包括多个第一电压电平的编程电压施加至连接至所述多个单元串中的每一个单元串的所述第一堆叠件的选择字线，在其中多个编程循环被执行的时间段期间执行第一编程操作；

在所述时间段期间，将包括多个第二电压电平的第二电压施加至连接至所述多个单元串中的每一个单元串的所述第一堆叠件的非选择字线；以及

在所述时间段期间，将第三电压保持在第一电平，所述第三电压被施加至连接至所述多个单元串中的每一个单元串的所述第二堆叠件的非选择字线。

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述第一电平包括通过电压电平或读电压电平。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述多个编程循环中的每一个编程循环包括：

将包括第一位线电平的第四电压施加至连接至所述多个单元串的多条位线中的编程目标位线和编程禁止位线的位线设置步骤；

对连接至所述选择字线的存储器单元执行第二编程操作的步骤；以及

对连接至所述选择字线的所述存储器单元执行验证操作的步骤。

4.根据权利要求1所述的操作方法，还包括，在所述多个编程循环中，在所述编程电压被施加至所述选择字线时，将第一伪电压施加至连接至邻近于所述第一堆叠件和所述第二堆叠件之间的边界的多个晶体管的字线。

5.根据权利要求1所述的操作方法，还包括：初始化所述多个单元串的字线电压。

6.一种非易失性存储器装置的操作方法，所述非易失性存储器装置包括连接至多条位线的多个单元串，其中，所述多个单元串包括分别连接至所述多条位线的多个串选择晶体管，所述操作方法包括：

在第一时间段期间将包括第一电平的第一电压施加至所述多条位线中的第一位线和第二位线；

在所述第一时间段之后的第二时间段期间将包括第二电平的第二电压施加至所述第一位线；

在所述第二时间段期间，将所述多个串选择晶体管中的连接至所述第一位线的单元串中包括的第一串选择晶体管导通；

在所述第二时间段期间，将所述多个串选择晶体管中的连接至所述第二位线的单元串中包括的第二串选择晶体管截止；以及

在所述第二时间段期间，将施加至所述第二位线的第三电压保持在所述第二电平。

7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，所述第一位线和所述第二位线分别连接至所述多个单元串中的第一单元串和第二单元串，

其中，所述第一单元串和所述第二单元串中的每一个包括具有连接至选择字线的选择堆叠件的多个堆叠件，并且

其中，将包括所述第二电平的所述第二电压施加至所述第一位线的步骤包括：通过将第一伪电压施加至邻近于与所述第一单元串中包括的第一选择堆叠件邻近的堆叠件与所述第一选择堆叠件的边界的至少一个晶体管，将所述第一选择堆叠件的沟道与所述第一位线彼此电连接。

8.根据权利要求7所述的操作方法，其中，在所述第二时间段期间将施加至所述第二位线的所述第三电压保持在所述第二电平的步骤包括：通过将所述第一伪电压施加至邻近于与所述第二单元串中包括的第二选择堆叠件邻近的堆叠件与所述第二选择堆叠件之间的边界的所述至少一个晶体管，将所述第二选择堆叠件的沟道与所述第二位线彼此电断开。

9.根据权利要求7所述的操作方法，其中，第四电平电压包括通过将所述至少一个晶体管的阈电压和所述第二电压的第二值彼此相加获得的第一值，并且所述第一伪电压包括所述阈电压和所述第四电平电压之间的电压电平。

10.根据权利要求7所述的操作方法，还包括：在所述第一时间段和所述第二时间段期间，将通过电压施加至连接至与所述第一选择堆叠件邻近的所述堆叠件的字线。