[发明专利]多芯片封装方法及封装结构在审

申请号：	202211262174.6	申请日：	2022-10-14
公开（公告）号：	CN115527871A	公开（公告）日：	2022-12-27
发明（设计）人：	叶义军;俞国庆;郝杰	申请（专利权）人：	立芯精密智造（昆山）有限公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/538
代理公司：	北京品源专利代理有限公司 11332	代理人：	李林
地址：	215324 江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	芯片封装方法结构
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【权利要求书】：

1.多芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在固设有第一金属柱(11)的衬底(100)上倒装第一芯片(12)，所述第一金属柱(11)和所述第一芯片(12)间隔设置于所述衬底(100)的同一表面；

S2、通过塑封工艺将所述第一金属柱(11)及所述第一芯片(12)塑封，得到设于所述衬底(100)上的第一封装体(1)，所述第一封装体(1)包括第一金属柱(11)、第一芯片(12)及第一塑封体(13)；

S3、在所述第一封装体(1)远离所述衬底(100)的表面上制作第一重布线层(2)，所述第一金属柱(11)电连接于所述第一重布线层(2)；

S4、在所述第一重布线层(2)远离所述衬底(100)的表面上倒装第二芯片(31)，并对所述第二芯片(31)塑封处理，得到设于所述第一重布线层(2)上的第二封装体(3)，所述第二封装体(3)包括第二芯片(31)及第二塑封体(32)，所述第二芯片(31)电连接于所述第一重布线层(2)，所述第一重布线层(2)介于所述第一芯片(12)和所述第二芯片(31)之间；

S5、去除所述衬底(100)，并在所述第一封装体(1)远离所述第二封装体(3)的表面制作第二重布线层(4)，所述第一芯片(12)及所述第一金属柱(11)分别电连接于所述第二重布线层(4)；

S6、在所述第二重布线层(4)远离所述第一封装体(1)的表面制作相互间隔开的第二金属柱(51)及倒装第三芯片(52)，并对所述第三芯片(52)及所述第二金属柱(51)塑封处理，得到第三封装体(5)，所述第三芯片(52)及所述第二金属柱(51)分别电连接于所述第二重布线层(4)；

S7、在所述第三封装体(5)远离所述第一封装体(1)的表面上制作焊球(6)，得到晶圆，所述焊球(6)通过所述第二金属柱(51)电连接于所述第二重布线层(4)。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述第一封装体(1)还包括被动元件组(7)，在步骤S2之前，所述多芯片封装方法还包括将所述被动元件组(7)贴装到所述衬底(100)上，在步骤S2中，通过所述塑封工艺将所述第一金属柱(11)、所述第一芯片(12)及所述被动元件组(7)塑封。

3.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，步骤S2包括：

S21、通过塑封工艺将所述第一金属柱(11)及所述第一芯片(12)塑封，得到第一临时塑封体(200)；

S22、对所述第一临时塑封体(200)减薄处理，以露出所述第一芯片(12)的背面及所述第一金属柱(11)，并得到第一封装体(1)。

4.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，步骤S6包括：

S61、在所述第二重布线层(4)远离所述第一封装体(1)的表面通过电镀的方式形成第二金属柱(51)，所述第二金属柱(51)与所述第二重布线层(4)电连接；

S62、将所述第三芯片(52)倒装在所述第二重布线层(4)远离所述第一封装体(1)的表面，所述第三芯片(52)与所述第二重布线层(4)电连接；

S63、通过塑封工艺将所述第二金属柱(51)及所述第三芯片(52)塑封，得到第二临时塑封体(300)；

S64、对所述第二临时塑封体(300)减薄处理，以露出所述第三芯片(52)的背面及所述第二金属柱(51)，并得到第三封装体(5)。