[发明专利]一种显示基板、显示基板的制备方法及显示装置在审
申请号: | 202211159376.8 | 申请日: | 2022-09-22 |
公开(公告)号: | CN115513225A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 徐东;李子华;蔡璐;金文强;李春波;唐亮;王旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1345;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板包括显示区和至少部分围绕所述显示区的非显示区,所述非显示区包括绑定区和空白区,所述绑定区位于所述空白区和所述显示区之间;
位于所述衬底基板一侧的缓冲层;
位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的绝缘层结构;
位于所述绑定区的多个绑定引脚,所述多个绑定引脚设置在所述绝缘层结构远离所述衬底基板一侧;
多个子像素,位于所述显示区;
多条数据线,位于所述显示区和所述非显示区,与所述多个子像素和所述多个绑定引脚电连接;
位于所述空白区的垫高结构,设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间,被配置为减小所述绝缘层结构边缘与所述缓冲层之间的高度差。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多个绑定引脚沿第一方向排列,所述绑定引脚沿第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向交叉;
所述垫高结构的延伸方向与所述第一方向平行。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述垫高结构的材料为金属。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层结构在所述衬底基板上的正投影与所述垫高结构在所述衬底基板上的正投影无交叠。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,沿垂直所述衬底基板的方向上,所述绝缘层结构远离所述衬底基板一侧的表面高于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的表面。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,沿垂直所述衬底基板的方向上,所述绝缘层结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的表面的高度差小于0.75μm。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括位于所述显示区的反光层,所述反光层设置在所述衬底基板和所述缓冲层之间。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述反光层与所述垫高结构同层设置。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层结构包括沿所述衬底基板指向所述缓冲层方向,层叠设置的栅极绝缘层和层间介电层。
10.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板,所述衬底基板分为显示区和非显示区,所述非显示区包括绑定区和空白区,所述绑定区位于所述空白区和所述显示区之间;
在所述衬底基板一侧形成有金属层,对所述金属层图案化形成位于所述空白区的垫高结构;
在所述金属层远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层;
在所述缓冲层远离所述衬底基板一侧形成绝缘层结构。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,在所述绝缘层结构远离所述衬底基板的一侧形成导电层;
在所述导电层远离所述衬底基板一侧涂覆有光刻胶,对位于所述空白区内的所述光刻胶进行曝光,以完全去除位于所述空白区内的光刻胶。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-9任一项所述的显示基板;
柔性电路板,所述柔性电路板具有多个信号脚,所述信号脚与所述显示基板的绑定引脚一一对应连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的