[发明专利]一种封装结构及封装方法

说明书

本申请公开了一种封装结构及封装方法，该封装结构包括：层叠设置的至少两个芯片；封装层，设置于顶层芯片远离其他芯片的一侧，其中，封装层远离顶层芯片的一侧设置有焊盘；除顶层芯片外的其他芯片包括：第一类信号线和第二类信号线，第一类信号线穿过所有芯片，分别与各芯片以及焊盘连接；第二类信号线焊盘连接，且第二类信号线不穿过芯片。本申请的封装结构将没有连接其他芯片需求的重要信号线提前引出，不需要穿过其他芯片，直接与封装层上的焊盘连接，有效避免了信号线在穿过其他芯片的过程中而造成的信号损耗，保证了信号的完整性，同时也缓解了其他芯片的走线压力，给其他芯片保留了更多的走线空间。

技术领域

本申请涉及器件封装的技术领域，特别是涉及一种封装结构及封装方法。

背景技术

现在的CHIP(芯片)to Wafer(晶圆)，Wafer to Wafer，CHIP to CHIP的多层组合中，连接各层都是需要3DIC(三维芯片)这种技术，使用TSV(Though Silicon Via重分布线)打穿硅连接两个不同的芯片，使得上下两个芯片连接，并把下面芯片中的信号穿过上层的芯片之后再接到外部封装的焊盘上。

在现有技术中，都是直接通过重分布线将两个芯片连接，使得本来不需要经过上层芯片的信号线也需要经过重分布线进入上层的芯片，最后通过上层芯片的焊盘再接出去，这样既增大了信号的损耗，也会给上层芯片增加走线的压力。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种封装结构及封装方法，以满足封装结构减少信号损耗的需求。

为解决上述技术问题，本申请采用的第一个技术方案是提供一种封装结构，包括：层叠设置的至少两个芯片；封装层，设置于顶层芯片远离其他芯片的一侧，其中，封装层远离顶层芯片的一侧设置有焊盘；除顶层芯片外的其他芯片包括：第一类信号线和第二类信号线，第一类信号线穿过所有芯片，分别与各芯片以及焊盘连接；第二类信号线焊盘连接，且第二类信号线不穿过芯片。

其中，第二类信号线从除顶层芯片外的其他芯片引出，通过各芯片不重叠的位置延伸到焊盘，以与焊盘连接。

其中，顶层芯片或/和至少部分中间层的芯片的设定位置设置有通孔，第二类信号线从除顶层芯片外的其他芯片引出，穿过通孔，并贯穿封装层，以与焊盘连接。

其中，各芯片的通孔沿芯片堆叠方向的截面为阶梯状。

其中，第一类信号线、第二类信号线贯穿封装层。

其中，封装结构还包括连接层，连接层设置于各芯片之间。

其中，连接层中还设置有多个重分布线，第一类信号线通过重分布线穿过所有芯片，第二类信号线通过重分布线从底层芯片引出。

为解决上述技术问题，本申请采用的第二个技术方案是提供一种封装方法，包括：制备至少两个芯片；制备第一类信号线、第二类信号线，其中，第一类信号线穿过所有芯片，以分别与各芯片连接，且第二类信号线不穿过芯片；在顶层芯片远离其他芯片一侧制作封装层，封装层上制作有多个焊盘；将第一类信号线、第二类信号线贯穿封装层，与焊盘连接。

其中，在将第一类信号线、第二类信号线贯穿封装层，与焊盘连接的步骤中，包括：将第二类信号线从除顶层芯片外的其他芯片引出；引出的第二类信号线通过各芯片不重叠的位置，贯穿封装层，与焊盘连接。

其中，在将第一类信号线、第二类信号线贯穿封装层，与焊盘连接的步骤中，包括：在顶层芯片或/和至少部分中间层的芯片的设定位置制作通孔；将第二类信号线从除顶层芯片外的其他芯片引出后，穿过通孔，并贯穿封装层，与焊盘连接。

其中，制备至少两个芯片的步骤之后，制备第一类信号线、第二类信号线的步骤之前，还包括：制作至少一层连接层；将连接层设置于各芯片之间。