[发明专利]半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺设备包括工艺腔室，所述工艺腔室内设有用于承载晶圆的卡盘和晶圆升降机构，所述晶圆升降机构可沿竖直方向移动，所述晶圆升降机构包括升降环和至少两个晶圆支撑架，所述至少两个晶圆支撑架均设置于所述升降环上，且所述至少两个晶圆支撑架沿所述升降环的周向间隔设置，所述升降环环绕所述卡盘设置，且所述升降环的内径大于所述卡盘的直径，所述晶圆支撑架朝向所述升降环内侧延伸以支撑晶圆。该方案能够解决目前的卡盘的结构较为复杂的问题。

技术领域

本申请属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

半导体领域中，在加工晶圆的过程中，通过机械手将晶圆放置于晶圆升降机构上，晶圆升降机构由传片位置下降至工艺位置，从而将晶圆放置于承载晶圆的卡盘上，待晶圆在工艺腔室内完成加工工艺后，再通过晶圆升降机构将晶圆升起至传片位置。

目前，大部分的晶圆升降机构包括顶针组件和驱动机构等结构，通过驱动机构驱动顶针组件上升或下降，以实现晶圆在传片位置与工艺位置之间运动。然而，晶圆升降机构的设置需要在承载晶圆的卡盘上开设通孔，以容纳顶针组件，从而导致卡盘的结构较为复杂。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺设备，能够解决目前的卡盘的结构较为复杂的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室内设有用于承载晶圆的卡盘和晶圆升降机构，所述晶圆升降机构可沿竖直方向移动，所述晶圆升降机构包括升降环和至少两个晶圆支撑架，所述至少两个晶圆支撑架均设置于所述升降环上，且所述至少两个晶圆支撑架沿所述升降环的周向间隔设置，所述升降环环绕所述卡盘设置，且所述升降环的内径大于所述卡盘的直径，所述晶圆支撑架朝向所述升降环内侧延伸以支撑晶圆。

可选地，所述卡盘具有第一晶圆支撑面，所述晶圆支撑架具有第二晶圆支撑面，所述晶圆升降机构可沿竖直方向在工艺位置和传片位置之间移动，

在所述晶圆升降机构位于所述工艺位置的情况下，所述第一晶圆支撑面与所述第二晶圆支撑面相平齐，或者所述第一晶圆支撑面高于所述第二晶圆支撑面。

可选地，所述晶圆支撑架包括连接部和支撑部，所述连接部的一端与所述升降环相连，所述连接部的另一端与所述支撑部相连，所述支撑部朝向所述升降环内侧延伸且与所述升降环相对设置，所述支撑部具有所述第二晶圆支撑面，所述卡盘的边缘设有定位槽，

在所述晶圆升降机构位于所述工艺位置的情况下，所述支撑部与所述定位槽定位配合。

可选地，所述工艺腔室内还设有卡盘固定件，所述卡盘固定件设置于所述卡盘的外周面与所述工艺腔室的侧壁之间。

可选地，所述卡盘与所述工艺腔室的底壁之间具有隔热空间。

可选地，所述卡盘固定件包括第一弧形板、第二弧形板和连接件，所述连接件连接于所述第一弧形板与所述第二弧形板之间，所述第一弧形板与所述卡盘的外周面相贴合并固定连接，所述第二弧形板与所述工艺腔室的侧壁相贴合并固定连接。

可选地，所述工艺腔室设有等离子体通道，所述工艺腔室内还设有内衬和加热件，所述内衬包括相连的顶板和环形侧板，所述顶板与所述工艺腔室的顶部相对设置，所述顶板设有多个通孔，所述等离子体通道通过所述多个通孔与所述内衬的内部空间相连通，所述加热件设置于所述顶板朝向所述顶部的一面，所述环形侧板设有第一传片口。

可选地，所述加热件包括依次相连的第一直线段、弧形段和第二直线段，所述第一直线段与所述第二直线段相对设置，所述弧形段环绕所述等离子体通道设置。

可选地，在所述顶板的中心向所述顶板的边缘延伸的方向上，所述顶板与所述工艺腔室的顶部之间的距离逐渐增大。