[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管

说明书

本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，在两个基区分别制作第一导电类型的源区，在半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，在第一金属层和第二金属层的表面制作保护层，其中，保护层包括对应于第一金属层的第一镂空区，第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，在发射极的表面制作支撑层，支撑层与保护层的厚度相等，并且支撑层与保护层之间设有间隙；对半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；去除支撑层。本申请可以提高IGBT的制作良率。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)工作时，发射极由于要走大电流，因而在制作IGBT的过程中，发射极的面积需要制作的较大，即IGBT上方的绝缘层需要开窗较大，以增大焊接面积。由于绝缘层开窗后，绝缘层与发射极存在高度差(台阶)，当对IGBT的背面进行减薄时，发射极处于悬空状态。由于发射极的面积较大，发射极所在的区域会发生较大变形，会有一定的概率造成IGBT破裂，影响产品制作良率。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管，可以改善相关技术中绝缘栅双极型晶体管在减薄步骤中容易破裂的问题。

为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法，包括：

提供第一导电类型的半导体衬底；

在所述半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，所述基区由所述半导体衬底的顶面向所述半导体衬底的内部延伸；

在两个所述基区分别制作第一导电类型的源区，所述源区由所述基区的表面向所述基区的内部延伸；

在所述半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置，并且所述第一金属层部分覆盖所述基区以及对应的源区，所述第二金属层与两个所述基区之间的间隙正对，并通过栅氧化层与所述半导体衬底的顶面隔开；

在所述第一金属层和所述第二金属层的表面制作保护层，其中，所述保护层包括对应于所述第一金属层的第一镂空区以及对应于所述第二金属层的第二镂空区；所述第一金属层暴露于所述第一镂空区的部分构成发射极，所述第二金属层暴露于所述第二镂空区的部分构成栅电极；

在所述发射极的表面制作支撑层，其中，所述支撑层与所述保护层的厚度相等，并且所述支撑层与所述保护层之间设有间隙；

对所述半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；

去除所述支撑层。

可选的，所述支撑层为光敏性感光胶层。

可选的，所述支撑层与所述保护层的硬度相同。

可选的，所述间隙最窄处的尺寸为200～500μm。

可选的，所述支撑层为矩形、圆形或多个平行并间隔排列的条形。

可选的，所述保护层为聚酰亚胺树脂层。

可选的，所述聚酰亚胺树脂层的厚度为5～30μm。

可选的，所述发射极为矩形，所述矩形的边长为4000～10000μm。

可选的，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；或所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。