[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型的半导体衬底；

在所述半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，所述基区由所述半导体衬底的顶面向所述半导体衬底的内部延伸；

在两个所述基区分别制作第一导电类型的源区，所述源区由所述基区的表面向所述基区的内部延伸；

在所述半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，其中，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置，并且所述第一金属层部分覆盖所述基区以及对应的源区，所述第二金属层与两个所述基区之间的间隙正对，并通过栅氧化层与所述半导体衬底的顶面隔开；

在所述第一金属层和所述第二金属层的表面制作保护层，其中，所述保护层包括对应于所述第一金属层的第一镂空区以及对应于所述第二金属层的第二镂空区；所述第一金属层暴露于所述第一镂空区的部分构成发射极，所述第二金属层暴露于所述第二镂空区的部分构成栅电极；

采用涂布的方法在所述发射极的表面制作支撑层，其中，所述支撑层与所述保护层的厚度相等，并且所述支撑层与所述保护层之间设有间隙，所述间隙最窄处的尺寸为200～500μm；

对所述半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；

去除所述支撑层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑层为光敏性感光胶层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑层与所述保护层的硬度相同。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述支撑层为矩形、圆形或多个平行并间隔排列的条形。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为聚酰亚胺树脂层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述聚酰亚胺树脂层的厚度为5～30μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制作方法，其特征在于，所述发射极为矩形，所述矩形的边长为4000～10000μm。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；或所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。

9.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的制作方法制作而成。