[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210955013.9 | 申请日： | 2022-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115565940A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 刘耀闵;高铭远;江明洲;金书正;谢惠雯;郭凯翔;林彦均;翁政辉;林俊杰;苏鸿文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/482 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
本公开涉及一种半导体装置的制造方法。在一些实施方式中，一或多个半导体加工工具可在半导体装置的基底内形成通孔。前述一或多个半导体加工工具可在通孔内沉积基于钌的衬垫。前述一或多个半导体加工工具可在沉积基于钌的衬垫之后，在通孔内沉积铜插塞。
技术领域
本公开实施例是关于一种半导体装置的制造方法，特别是关于一种设置基于钌的衬垫和铜插塞的半导体装置的制造方法。
背景技术
例如集成电路的半导体装置可以包括由铜制成的内连线，以在半导体装置操作时与其他金属内连线相比减少传播延迟和功耗。此外，使用铜内连线的半导体装置可能比使用另一种金属(例如铝)作为内连线的半导体装置具有更窄的内连线尺寸。
发明内容
本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括在半导体装置的基底内形成通孔。此方法亦包括在通孔内沉积基于钌的衬垫。此方法更包括在沉积基于钌的衬垫之后在通孔内沉积铜插塞。
本公开实施例提供一种半导体装置，包括位于半导体装置的基底内的通孔。此半导体装置亦包括设置在通孔内的基于钌的衬垫。此半导体装置更包括设置于在通孔内的基于钌的衬垫上的铜插塞。
本公开实施例提供一种半导体装置，包括位于半导体装置的基底内的通孔。此半导体装置亦包括设置在通孔内的衬垫，此衬垫包括钌材料和钴材料。此半导体装置更包括设置在衬垫的至少一部分上的铜插塞。
附图说明
根据以下的详细说明并配合所附图式以更好地了解本公开实施例的概念。应注意的是，根据本产业的标准惯例，图式中的各种特征未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小各种特征的尺寸，以做清楚的说明。在通篇说明书及图式中以相似的标号标示相似的特征。
图1是可以实施在本公开中所述的系统及/或方法的范例环境的示意图。
图2A至图2H是绘示用于制造如本公开所述的半导体装置的操作顺序的示意图。
图3A至图3F是基于配合图2A至图2H所述的范例技术形成的范例半导体装置的示意图。
图4是图1的一或多个装置的范例元件的示意图。
图5是制造如本公开所述的半导体装置的范例制程的流程图。
其中，附图标记说明如下：
100：环境
102：沉积工具
104：蚀刻工具
106：化学机械抛光工具(CMP工具)
108：预清洁工具
110：晶圆/晶粒传送装置
200，200A，200B，200C，200D，200E，200F：半导体装置
202：基底
204：通孔
206：基于氮化钽的衬垫
208：基于钌的衬垫
210：基于钴的衬垫
212：铜材料
214：铜插塞
216：钌帽盖
218：钴帽盖
400：装置
410：总线
420：处理器
430：存储器
440：存储元件
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
