[发明专利]耦合半导体裸片的方法、使用的工具和对应的半导体器件

说明书

本公开涉及耦合半导体裸片的方法、使用的工具和对应的半导体器件。激光直接成型LDS材料的封装被模制到第一半导体裸片和第二半导体裸片上。第一半导体裸片与第二半导体裸片之间的裸片到裸片的耦合形成件包括：裸片过孔，延伸通过LDS材料以到达第一半导体裸片和第二半导体裸片；以及裸片到裸片的线，在裸片过孔之间封装的表面处延伸。在激光激活和成型针对裸片过孔和裸片到裸片的线的封装的表面的所选位置之后，位置与提供导电路径的电极接触。通过暴露于携带金属阳离子的电解质，金属材料被电解生长到封装的位置上。金属阳离子经由电流被还原为金属材料，电流流过经由电极提供的导电路径。电极然后与在其上电解生长金属材料的位置脱离接触。

优先权要求

本申请要求于2021年7月30日提交的意大利专利申请号102021000020537的优先权权益，其内容在法律允许的最大范围内通过引用全部并入本文。

技术领域

本说明书涉及半导体器件。

一个或多个实施例可以被应用于包括裸片到裸片的连接的半导体器件。

在一个或多个芯片载体包装中包括多个集成电路的系统级包装(SiP)可以是这种器件的示例。

背景技术

例如，各种类型的半导体器件(诸如功率器件)可以涉及裸片到裸片的耦合。

功率半导体集成电路芯片或裸片(例如氮化镓或GaN)期望被连接至使用BCD(双极CMOS-DMOS)技术制造的驱动器芯片或裸片的器件可以是这种实例的示例。

最近提出了激光直接成型(LDS)技术来替代常规的导线粘合，以在半导体器件中提供裸片到引线的电连接。

在目前执行的激光直接成型技术中，在LDS材料的激光束成型(激活)之后，诸如过孔和轨道(迹线)等形成的导电性经由无电镀金属化和水电镀来促进，以达到金属材料(诸如铜)的几十微米的金属化厚度。

尝试将LDS技术应用于裸片到裸片的耦合的一个问题在于关联的导电图案是电浮动节点。

因此，预期使用电镀来促进经由LDS技术成型的导电形成件(过孔和/或线或轨道)的充分导电性阻碍了将LDS技术的使用从裸片到引线的耦合扩展到裸片到裸片的耦合。

本领域需要为充分处理这种问题做出贡献。

发明内容

一个或多个实施例涉及一种方法。

一个或多个实施例涉及一种对应的工具(电极)。

一个或多个实施例涉及一种对应的半导体集成电路器件。半导体器件(诸如包括多个相互耦合的半导体芯片或裸片的功率器件)可以是这种器件的示例。

一个或多个实施例为在将导电材料(例如金属，诸如铜)生长到激光直接成型(LDS)材料的部分时使用的其他隔离的裸片到裸片的连接提供(临时)电接地，该部分通过应用激光束能量来激活(成型)。

一个或多个实施例可以涉及使用位于LDS框架顶部的不锈钢卷，该不锈钢卷具有(例如弹簧状的)指状物，形成与裸片到裸片的连接图案的电接触。

一个或多个实施例简化了裸片到裸片的耦合，而不需要过程流程的明显改变。

在一个或多个实施例中，裸片到裸片的连接线或轨道可以包括着陆区，以促进形成电接触(例如具有增加的面积)。

一个或多个实施例提供了对利用印刷方法(诸如喷射印刷)获得的裸片到裸片的耦合的有利替代方案。

附图说明

一个或多个实施例现在将参照附属附图仅通过示例描述，其中：

图1是LDS技术可能应用于制造半导体器件的示例，