[发明专利]耦合半导体裸片的方法、使用的工具和对应的半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

将第一半导体裸片和第二半导体裸片布置在衬底上；

将激光直接成型LDS材料的封装模制到被布置在所述衬底上的所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片上，所述LDS材料封装具有与所述衬底相对的表面；

在所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间提供导电的至少一个裸片到裸片的耦合形成件，所述至少一个裸片到裸片的耦合形成件包括：裸片过孔，在所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片中的每个半导体裸片之间延伸通过所述LDS材料；以及裸片到裸片的线，在所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面处延伸并且耦合所述裸片过孔；

其中提供导电的所述至少一个裸片到裸片的耦合形成件包括：

将激光束能量施加到所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面的所选位置，以激光激活所述LDS材料并且在其中成型所述裸片过孔和所述裸片到裸片的线；

使所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面的被激光激活和成型的所述位置与电极接触，其中所述电极提供到所述位置的导电路径；以及

将金属材料电解生长到所述LDS材料封装的所述表面的被激光激活和成型的所述位置上，其中电解生长金属材料包括：将所述位置暴露于携带金属材料的阳离子的电解质，并且经由电流将所述阳离子还原为金属材料，所述电流流过经由所述电极提供的所述导电路径。

2.根据权利要求1所述的方法，包括：使所述电极与在所述位置上电解生长金属材料的所述位置脱离接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将金属材料电解生长到所述LDS材料封装的所述表面的被激光激活和成型的所述位置上包括：将所述位置暴露于携带铜阳离子的电解质，并且经由电流将所述阳离子还原为金属铜，所述电流流过经由所述电极提供的所述导电路径。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述电解质携带SO2-4阴离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极包括层状体，所述层状体具有从所述层状体突出的接触构件层状体，并且其中使所述LDS材料封装的所述表面的被激光激活和成型的所述位置与所述电极接触包括：将所述电极的所述层状体布置为面向所述LDS材料封装的所述表面，其中从所述层状体突出的所述接触构件与所述LDS材料封装的所述表面的被激光激活和成型的所述位置接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中响应于与所述LDS材料封装的所述表面的被激光激活和成型的所述位置接触，从所述电极的所述层状体突出的所述接触构件可变形。

7.根据权利要求1所述的方法，包括：

将所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片布置在所述衬底中的至少一个裸片焊盘上，所述衬底包括围绕所述至少一个裸片焊盘的导电引线阵列；以及

将LDS处理应用于所述LDS材料封装以提供裸片到引线的导电形成件，所述裸片到引线的导电形成件将所述第一半导体裸片和第二半导体裸片与所述导电引线阵列中的所述导电引线中的所选导电引线耦合，其中所述裸片到引线的导电形成件包括：

第一过孔，在所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面与所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片之间延伸通过所述LDS材料；

第二过孔，在所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面与所述导电引线阵列中的所述导电引线中的所选导电引线之间延伸通过所述LDS材料；以及

导电线，在所述第一过孔中的所选第一过孔与所述第二过孔中的所选第二过孔之间在所述LDS材料封装的与所述衬底相对的所述表面处延伸。