[发明专利]导电层及其制作方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 202210870166.3 申请日: 2022-07-22
公开(公告)号: CN115064320A 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 叶颖隆;张志鹏;林俊良;陈威年 申请(专利权)人: 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 代理人: 何强
地址: 611730 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 导电 及其 制作方法 电子设备
【说明书】:

本申请涉及一种导电层及其制作方法和电子设备。一种导电层的制作方法,包括:将基材区分为非前处理区域和具有预设图案的前处理区域;对所述前处理区域进行前处理,以在所述前处理区域的表层形成改性层;形成设于所述改性层的电导通镀层;其中,所述改性层包括能够与所述电导通镀层的电导通原子或电导通离子配位的结构。既避免使用成本较高的镭射层或极化层,节省了成本,又能保证导电层的附着力和可靠性。

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域,特别是涉及一种导电层及其制作方法和电子设备。

背景技术

电子设备通常包括导电层,导电层直接影响着电子设备的触控精度、反应速度及显示清晰度等特性,在电子设备的制造过程中具有重要的地位。

相关技术中,导电层的形成过程包括:对基材进行镭射处理,以在基材上形成一层镭射层或对基材进行极化处理,以在基材上形成一层极化层,再在镭射层或极化层上形成金属镀层(如图1及图2,图1中的图(2)-图(5)依次为在基材上压膜的过程示意图、对压膜进行曝光的过程示意图、显影的过程示意图及对基材进行极化处理的过程示意图,图2中的图(6)-图(9)依次为去膜的过程示意图、涂布极化材料并形成极化层的过程示意图、去除极化层的一部分的过程示意图及在极化层上形成金属镀层的过程示意图),如此,可使金属镀层牢固地附着于基材,以提高导电层的可靠性。然而,镭射层和极化层的成本较高,导致导电层的生产成本较高。

发明内容

基于此,有必要针对镭射层和极化层的成本较高而导致导电层的生产成本较高的问题,提供一种导电层及其制作方法和电子设备。

根据本申请的一个方面,提供了一种导电层的制作方法,包括:

将基材区分为非前处理区域和具有预设图案的前处理区域;

对所述前处理区域进行前处理,以在所述前处理区域的表层形成改性层;

形成设于所述改性层的电导通镀层;

其中,所述改性层包括能够与所述电导通镀层的电导通原子或电导通离子配位的结构。

在其中一个实施例中,所述将基材区分为非前处理区域和具有预设图案的前处理区域具体包括:

在基材上形成膜层,对所述膜层进行曝光和显影,以显露出所述基材的所述前处理区域。

在其中一个实施例中,所述形成设于所述改性层的电导通镀层具体包括:

去除所述膜层;

在所述基材上形成覆盖所述改性层的所述电导通镀层;

去除所述电导通镀层上位于所述非前处理区域的部分。

在其中一个实施例中,所述对所述前处理区域进行前处理,以在所述前处理区域的表层形成改性层具体包括:

将所述基材置于真空室内,并向所述真空室内通入一定压力的惰性气体,采用等离子体或离子源设备对所述基材的前处理区域进行轰击处理,直至轰击处理的时间达到预设时间。

在其中一个实施例中,所述预设时间为30s-120s。

在其中一个实施例中,所述将所述基材置于真空室内,并向所述真空室内通入一定压力的惰性气体,采用等离子体或离子源设备对所述基材的前处理区域进行轰击处理,直至轰击处理的时间达到预设时间之后,所述改性层的粗糙度大于或等于15nm。

在其中一个实施例中,所述将所述基材置于真空室内,并向所述真空室内通入一定压力的惰性气体,采用等离子体或离子源设备对所述基材的前处理区域进行轰击处理,直至轰击处理的时间达到预设时间之后,经X射线光电子能谱测试,所述改性层内的第一基团对应的光电子流强度小于300counts/s;

其中,第一基团包括CF2

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