[发明专利]导电层及其制作方法和电子设备在审
申请号: | 202210870166.3 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN115064320A | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 叶颖隆;张志鹏;林俊良;陈威年 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 何强 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 及其 制作方法 电子设备 | ||
1.一种导电层的制作方法,其特征在于,包括:
将基材区分为非前处理区域和具有预设图案的前处理区域;
对所述前处理区域进行前处理,以在所述前处理区域的表层形成改性层;
形成设于所述改性层的电导通镀层;
其中,所述改性层包括能够与所述电导通镀层的电导通原子或电导通离子配位的结构。
2.根据权利要求1所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述将基材区分为非前处理区域和具有预设图案的前处理区域具体包括:
在基材上形成膜层,对所述膜层进行曝光和显影,以显露出所述基材的所述前处理区域。
3.根据权利要求2所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述形成设于所述改性层的电导通镀层具体包括:
去除所述膜层;
在所述基材上形成覆盖所述改性层的所述电导通镀层;
去除所述电导通镀层上位于所述非前处理区域的部分。
4.根据权利要求1-3任一项所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述对所述前处理区域进行前处理,以在所述前处理区域的表层形成改性层具体包括:
将所述基材置于真空室内,并向所述真空室内通入一定压力的惰性气体,采用等离子体或离子源设备对所述基材的前处理区域进行轰击处理,直至轰击处理的时间达到预设时间。
5.根据权利要求4所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述预设时间为30s-120s。
6.根据权利要求4所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述将所述基材置于真空室内,并向所述真空室内通入一定压力的惰性气体,采用等离子体或离子源设备对所述基材的前处理区域进行轰击处理,直至轰击处理的时间达到预设时间之后,所述改性层的粗糙度大于或等于15nm。
7.根据权利要求4所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述将所述基材置于真空室内,并向所述真空室内通入一定压力的惰性气体,采用等离子体或离子源设备对所述基材的前处理区域进行轰击处理,直至轰击处理的时间达到预设时间之后,经X射线光电子能谱测试,所述改性层内的第一基团对应的光电子流强度小于300counts/s;
其中,第一基团包括CF2。
8.根据权利要求4所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述等离子体或离子源设备的工作气体包括氩气和氧气。
9.根据权利要求1所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述对所述前处理区域进行前处理,以在所述前处理区域的表层形成改性层具体包括:
在含惰性气体的气氛下,对所述前处理区域进行石墨基材过氧溅射处理预设时间,以在所述前处理区域的表层形成所述改性层。
10.根据权利要求1所述的导电层的制作方法,其特征在于,所述电导通镀层的材质为Cu、Pt、Ni和CuNi合金中的至少一种。
11.一种导电层,其特征在于,由如权利要求1-10任一项所述的导电层的制作方法制得。
12.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求11所述的导电层。
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