[发明专利]气体处理装置和半导体工艺设备

说明书

本申请公开一种气体处理装置和半导体工艺设备，涉及半导体设备技术领域。气体处理装置用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，该气体处理装置包括捕捉器和进气块，其中，所述捕捉器包括壳体和捕捉板，所述壳体设有第一进气口，所述捕捉板设置于所述壳体内，所述进气块设有第一进气通道和第二进气口，所述第一进气口通过所述第一进气通道与所述第一排气口相连通，所述第二进气口与所述第一进气通道相连通，所述第二进气口用于供第一反应气体进入所述第一进气通道内，并与所述第一排气口排出的第二反应气体反应。该方案能够解决目前半导体工艺设备的抽气装置易腐蚀的问题。

技术领域

本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种气体处理装置和半导体工艺设备。

背景技术

原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)是通过将气相前驱体交替地通入反应腔室并发生化学反应而形成沉积膜的一种方法，该方法可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，当前驱体达到沉积基体表面，它们会吸附在基体表面。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对反应腔室进行吹扫，以清除未吸附在基体表面的剩余反应源，以保证化学反应只在基体表面发生。

以ALD TiN薄膜工艺为例，前驱体分别为TiCl₄和NH₃，ALD工艺过程中TiCl₄和NH₃以交替的方式进入反应腔室，反应后多余的反应气体和工艺副产物将通过排气管路排出反应腔室，并且TiCl₄和NH₃将在排气管路内交替通过，当管壁吸附的两种反应物相遇时，将发生化学反应，其主要生成反应物为TiCl₄·5NH₃或TiClN，该反应物以固态黄色物质状态附着在排气管路和排气管路上所设置的捕捉器内，而捕捉器的主要作用是收集这些固态生成物，避免固态生成物以粉末状进入抽气装置内，而影响抽气装置的正常运转，并且该固态黄色物质易与空气中的水气结合生成HCl，其腐蚀性将对抽气装置产生影响。然而，实际应用中，通常无法保证TiCl₄全部被捕捉器捕捉到，如果NH₃量不充足，将有多余的TiCl₄进入抽气装置内，从而对抽气装置造成腐蚀。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种气体处理装置和半导体工艺设备，气体处理装置用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，能够解决目前半导体工艺设备的抽气装置易腐蚀的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种气体处理装置，用于与半导体工艺设备的工艺腔室的第一排气口相连通，包括捕捉器和进气块，其中，所述捕捉器包括壳体和捕捉板，所述壳体设有第一进气口，所述捕捉板设置于所述壳体内，所述进气块设有第一进气通道和第二进气口，所述第一进气口通过所述第一进气通道与所述第一排气口相连通，所述第二进气口与所述第一进气通道相连通，所述第二进气口用于供第一反应气体进入所述第一进气通道内，并与所述第一排气口排出的第二反应气体反应。

第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、抽气装置和上述的气体处理装置，所述工艺腔室的第一排气口与所述气体处理装置的进气端相连通，所述气体处理装置的出气端与所述抽气装置相连通。

在本申请实施例中，半导体工艺设备的工艺腔室内剩余的气体通过进气块的第一进气通道通入捕捉器的壳体内，通过在进气块上开设第二进气口，以通入第一反应气体，第一反应气体与自第一排气口排出且进入第一进气通道的第二反应气体充分反应，从而避免捕捉器内的第二反应气体因反应不完全而进入半导体工艺设备的抽气装置内。因此，本申请实施例能够解决目前半导体工艺设备的抽气装置易腐蚀的问题。

附图说明

图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的捕捉器和进气块的结构示意图；